公开(公告)号：CN119452471A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380048825.8

申请日：2023-05-15

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 汤宁 ,  露野圆丈 ,  金子裕二朗

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 对于从半导体装置突出的端子没有考虑热传导构件的流出而导致的绝缘性下降等的对策，装置的可靠性下降。本发明的电路体包括：半导体装置，该半导体装置利用密封材料密封并内置半导体元件，且至少一个面形成有对所述半导体元件的热进行散热的散热面；冷却构件，该冷却构件与所述半导体装置的所述散热面相对配置，并冷却所述半导体元件；以及热传导构件，该热传导构件配置在所述半导体装置和所述冷却构件之间，与所述半导体元件连接的端子从所述半导体装置的至少一个侧面突出，所述端子突出的所述半导体装置的所述一个侧面上的所述密封材料和所述冷却构件之间的第1间隔比所述端子不突出的所述半导体装置的另一个侧面上的所述密封材料和所述冷却构件之间的第2间隔要窄。

公开(公告)号：CN116636000A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180081821.0

申请日：2021-09-29

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 汤宁 ,  露野円丈 ,  金子裕二朗 ,  井出英一

IPC: H01L23/28

Abstract: 本发明的电路体包括：与导体板的一个面接合的功率半导体元件；含有与所述导体板的另一个面接合的绝缘层的片状构件；密封构件，该密封构件在所述片状构件的与接合到所述导体板的面相反的面露出的状态下整体地密封所述片状构件和所述导体板和所述功率半导体元件；以及冷却构件，该冷却构件经由热传导构件粘接到所述片状构件的所述相反的面，在所述片状构件露出的所述密封构件的表面上，比所述片状构件更靠外周侧地沿着所述片状构件的外缘形成凹部。

公开(公告)号：CN118489152A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202280081881.7

申请日：2022-12-15

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 汤宁 ,  露野円丈 ,  金子裕二朗

IPC: H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 半导体装置具备：多个电路体，其具有半导体元件；一对散热构件，其从其两面夹持所述多个电路体；第1热传导构件，其配置在所述散热构件的一方与所述多个电路体的一个面之间；以及第2热传导构件，其配置在所述散热构件的另一方与所述多个电路体的另一面之间，所述第1热传导构件到剥离为止的伸长率具有比所述第2热传导构件到剥离为止的伸长率大的伸长率。

公开(公告)号：CN118077321A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202180103160.7

申请日：2021-10-26

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 福泽尧之 ,  河合义夫 ,  难波明博 ,  汤宁

IPC: H05K9/00

Abstract: 一种电子控制装置，其具备基板、壳体以及填充于基板与壳体之间并将基板与壳体电连接的屏蔽材料。并且，在屏蔽材料中形成有导电性填料的密度比其他部位高且阻抗低的低阻抗区域。