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公开(公告)号：CN119452471A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380048825.8
申请日：2023-05-15
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 对于从半导体装置突出的端子没有考虑热传导构件的流出而导致的绝缘性下降等的对策，装置的可靠性下降。本发明的电路体包括：半导体装置，该半导体装置利用密封材料密封并内置半导体元件，且至少一个面形成有对所述半导体元件的热进行散热的散热面；冷却构件，该冷却构件与所述半导体装置的所述散热面相对配置，并冷却所述半导体元件；以及热传导构件，该热传导构件配置在所述半导体装置和所述冷却构件之间，与所述半导体元件连接的端子从所述半导体装置的至少一个侧面突出，所述端子突出的所述半导体装置的所述一个侧面上的所述密封材料和所述冷却构件之间的第1间隔比所述端子不突出的所述半导体装置的另一个侧面上的所述密封材料和所述冷却构件之间的第2间隔要窄。
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公开(公告)号：CN119422246A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380049239.5
申请日：2023-05-16
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明的电路体包括：半导体装置，其内置半导体元件，至少在一面形成有所述半导体元件的散热部；冷却构件，其与所述半导体装置的所述散热部相对配置，冷却由所述半导体元件产生的发热；热传导构件，其配置在所述半导体装置与所述冷却构件之间；以及树脂构件，其在所述半导体装置和所述冷却构件之间，与所述热传导构件紧贴地配置于所述半导体装置和所述冷却构件的层叠方向上的所述散热部的投影区域的外侧，所述树脂构件的压缩永久应变比所述热传导构件小。
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公开(公告)号：CN116569326A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180083622.3
申请日：2021-09-29
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L23/28
Abstract: 本发明提供一种电路组件，其包括：与导体板的一个面接合的功率半导体元件；与上述导体板的另一个面接合的包含绝缘层的片部件；以上述片部件的与上述导体板接合的面的相反侧的面露出的状态将上述片部件、上述导体板和上述功率半导体元件一体地密封的密封部件；冷却上述功率半导体元件的热的冷却部件；和设置在上述片部件的上述相反侧的面与上述冷却部件之间的导热部件，上述导热部件跨与上述导体板相对的第一投影区域和与上述密封部件相对的第二投影区域地设置，上述导热部件的厚度在上述第二投影区域比在上述第一投影区域厚。
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