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公开(公告)号：CN118648106A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202280090847.6
申请日：2022-12-28
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 半导体装置具备：多个半导体元件；导体板，其接合有所述多个半导体元件；绝缘片，其粘接在所述导体板的与所述多个半导体元件侧相反的面上；以及树脂构件，其密封所述多个半导体元件、所述绝缘片和所述导体板，所述导体板具有：多个元件接合区域，其供所述多个半导体元件的每一个接合；以及连接区域，其设置在所述多个元件接合区域之间，所述导体板的所述元件接合区域中的所述绝缘片侧表面比所述连接区域的所述绝缘片侧表面突出并与所述绝缘片粘接，在所述导体板的所述连接区域中的所述绝缘片侧表面与所述绝缘片之间填充所述树脂构件。
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公开(公告)号：CN115668485A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180035676.2
申请日：2021-01-22
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 功率模块具备：第一导体板，其接合有第一功率半导体元件；第二导体板，其接合有第二功率半导体元件并且与所述第一导体板相邻配置；第一散热构件，其与所述第一导体板及所述第二导体板相对配置；以及第一绝缘片构件，其配置在所述第一散热构件和所述第一导体板之间，在从靠近所述第二导体板一侧的所述第一导体板的端部到所述第一功率半导体元件的第一长度比从远离所述第二导体板一侧的所述第一导体板的端部到所述第一功率半导体元件的第二长度大的位置，配置有所述第一功率半导体元件，所述第二长度大于所述第一导体板的厚度。
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公开(公告)号：CN115088065A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202080096165.7
申请日：2020-12-25
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明具备：功率半导体元件；第一导体板，其与所述功率半导体元件的一个面连接；第一片状构件，其具有第一树脂绝缘层且至少覆盖所述第一导体板的表面；密封材料，其密封所述功率半导体元件、所述第一导体板及所述第一片状构件的端部；以及第一冷却构件，其与所述第一片状构件密接，所述第一片状构件具有：所述第一片状构件的所述端部被所述密封材料覆盖而成的埋没部；作为与所述第一导体板的表面重叠的区域的散热面部；以及作为所述埋没部和所述散热面部之间的区域的余白部，所述余白部比所述散热面部向内部后退，所述埋没部比所述余白部向内部后退。
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公开(公告)号：CN113016068A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201980074753.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48
Abstract: 半导体模块(900)包括：具备具有第一、第二连接部(810)的第一、第二翅片基底(800)、以及对第一导体(410)至第四导体(413)的外周侧面进行密封的树脂(850)的半导体装置(300)；以及连接到第一、第二翅片基底(800)的第一、第二连接部(810)的流路形成体(600)，半导体模块(900)具有被塑性变形成使得第一、第二连接部(810)的外周端部(810a)之间的厚度方向的间隔小于第一、第二连接部(810)的中间部(804)之间的厚度方向的间隔的第一塑性变形部(801)，树脂(850)填充在第一、第二翅片基底(800)的第一、第二连接部(810)之间。
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公开(公告)号：CN118318305A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202280077833.0
申请日：2022-11-25
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/498 , H01L25/18 , H02M7/00 , H02M7/5387 , H02M1/00
Abstract: 本发明的半导体模块具备：多个功率半导体元件，它们并列排列；第1导体板和第2导体板，它们分别与所述并列排列的所述多个功率半导体元件的上表面和下表面接合；布线基板，其设置在所述第2导体板上；以及电子部件，其安装在所述布线基板上，用密封构件密封所述多个功率半导体元件、所述第1导体板及所述第2导体板、所述布线基板和所述电子部件，在所述半导体模块中，在位于所述布线基板的上表面侧的所述第1导体板上、在与所述布线基板上的所述电子部件相对的区域形成凹部和贯通孔中的至少一方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117203762A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280030858.5
申请日：2022-03-04
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L23/40
Abstract: 在电路体中，分别固定在第1半导体模块和第2半导体模块的两面上的冷却构件中的至少一方具有：第1散热区域，其经由热传导构件与所述第1半导体模块抵接；第2散热区域，其经由热传导构件与所述第2半导体模块抵接；以及低刚性部，其在所述第1散热区域和所述第2散热区域之间形成为刚性比所述第1散热区域和所述第2散热区域小，固定构件在所述冷却构件的所述低刚性部，将所述冷却构件固定在所述第1半导体模块和所述第2半导体模块的两面上。
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公开(公告)号：CN116783707A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202180092589.0
申请日：2021-12-24
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明的功率半导体器件的第1功率半导体元件和第2功率半导体元件，在所述第1功率半导体元件的发热量大于所述第2功率半导体元件的发热量的情况下，作为从所述第1功率半导体元件的端部到所述导体板的端部的距离的第1距离大于作为从所述第2功率半导体元件的端部到与所述第2功率半导体元件连接的第2导体板的端部的距离的第2距离。
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公开(公告)号：CN116569326A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180083622.3
申请日：2021-09-29
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L23/28
Abstract: 本发明提供一种电路组件，其包括：与导体板的一个面接合的功率半导体元件；与上述导体板的另一个面接合的包含绝缘层的片部件；以上述片部件的与上述导体板接合的面的相反侧的面露出的状态将上述片部件、上述导体板和上述功率半导体元件一体地密封的密封部件；冷却上述功率半导体元件的热的冷却部件；和设置在上述片部件的上述相反侧的面与上述冷却部件之间的导热部件，上述导热部件跨与上述导体板相对的第一投影区域和与上述密封部件相对的第二投影区域地设置，上述导热部件的厚度在上述第二投影区域比在上述第一投影区域厚。
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公开(公告)号：CN110832958B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201880037352.0
申请日：2018-06-13
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以将控制基板固定在外壳内而不使用外壳和控制基板以外的特殊构件的电子控制装置。本发明的电子控制装置(1)是一种在外壳(2)内设置有控制基板(6)的电子控制装置，外壳(2)内设置有至少一个通过与控制基板(6)的规定区域粘合而将控制基板固定在外壳内的固定部(51)。通过将加热夹具(8)抵压至外壳上设置的固定部(51)，能使阶梯部(51)粘合至控制基板(6)的规定区域而将控制基板(6)固定在外壳(2)内。
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公开(公告)号：CN119452458A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380050194.3
申请日：2023-06-07
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明的电子装置包括具有Ni基电极的第一电子部件；以及经由Sn基焊料与Ni基电极接合的第二电子部件，在Ni基电极和Sn基焊料的接合部界面处存在(Cu，Ni，Pd)6Sn5化合物层，在接合后的Sn基焊料的基体相中作为(Pd、Ni)Sn4化合物而存在的Pd含量小于作为(Cu，Ni，Pd)6Sn5化合物层而存在的Pd含量、或为零。
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