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公开(公告)号：CN119452458A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380050194.3
申请日：2023-06-07
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明的电子装置包括具有Ni基电极的第一电子部件；以及经由Sn基焊料与Ni基电极接合的第二电子部件，在Ni基电极和Sn基焊料的接合部界面处存在(Cu，Ni，Pd)6Sn5化合物层，在接合后的Sn基焊料的基体相中作为(Pd、Ni)Sn4化合物而存在的Pd含量小于作为(Cu，Ni，Pd)6Sn5化合物层而存在的Pd含量、或为零。
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公开(公告)号：CN113412539A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202080012569.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明的作为半导体装置的功率半导体模块包括半导体元件(155)、以及与半导体元件(155)相对地配置并经由焊料(162)连接到半导体元件(155)的引线框(318)。引线框(318)具有包含与半导体元件(155)相对的面的顶面(331)、以及与顶面(331)构成规定的角度并且连接到顶面(331)的周缘部(333)的侧面(334)。引线框(318)的顶面包含与焊料(162)相接的焊料面(332)、以及与焊料面(332)相比焊料(162)更难浸润的阻焊面。该阻焊面包围焊料面(332)的周围来形成。由此，当在半导体装置中对半导体元件和引线框进行焊料接合时，能适当地控制焊料浸润扩散的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117280448A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202280034050.4
申请日：2022-02-21
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L21/52
Abstract: 本发明的半导体器件中，具有Ni‑V电极的半导体元件经由Sn系无铅焊料与导体接合，并且，与所述半导体元件和所述Sn系无铅焊料的界面相邻地，分别形成有Sn‑V化合物层以及与所述Sn‑V化合物相邻的(Ni,Cu)3Sn4化合物层。此外，本发明的半导体器件的制造方法通过使所述Sn系无铅焊料与所述Ni‑V电极反应而形成Sn‑V层和(Ni,Cu)3Sn4化合物层，并使得在所述Sn‑V层形成后，在所述Ni‑V电极中残留有未与所述Sn系无铅焊料反应的未反应的层。
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公开(公告)号：CN119422235A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380049573.0
申请日：2023-05-10
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 半导体装置包括在第1方向上相对配置的电子部件及基板、和连接电子部件及基板的焊料，电子部件在与基板相对的面上具有第1电极，基板在与电子部件相对的面上具有第2电极，焊料在与电子部件和基板各自的界面处具有作为金属间化合物的接合部，焊料以Sn为主要成分，接合部的第1方向的厚度的偏差小于2微米。
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公开(公告)号：CN115702482A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180040316.1
申请日：2021-02-26
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 一种半导体装置，其具备：半导体元件；以及第一导体及第二导体，其隔着Sn系焊料分别与所述半导体元件的第一面和第二面接合，在该半导体装置中，在所述第一导体和所述第二导体的与所述Sn系焊料相对的面、以及所述半导体元件的所述第一面和所述第二面上形成Ni系镀层，在所述Ni系镀层与所述Sn系焊料的界面上形成由(Cu、Ni)6Sn5构成的具有1.2～4.0μm的层厚的界面反应抑制层。
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