公开(公告)号：CN117178465A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202280029594.1

申请日：2022-02-21

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 樱井直树 ,  土肥昌宏

IPC: H02M1/08

Abstract: 栅极驱动电路经由栅极电阻与具有栅极端子的半导体元件连接，使施加于所述栅极端子的栅极电压变化来驱动所述半导体元件，在满足流过所述半导体元件的电流为规定的第一阈值以上且为大于所述第一阈值的规定的第二阈值以下、并且所述半导体元件的温度为规定的第三阈值以上且为大于所述第三阈值的规定的第四阈值以下的条件的情况下，将所述半导体元件导通时的所述栅极电阻的电阻值切换为比不满足所述条件的情况大的值。

公开(公告)号：CN117280448A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202280034050.4

申请日：2022-02-21

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 池田靖 ,  樱井直树 ,  大岛隆文 ,  白头拓真

IPC: H01L21/52

Abstract: 本发明的半导体器件中，具有Ni‑V电极的半导体元件经由Sn系无铅焊料与导体接合，并且，与所述半导体元件和所述Sn系无铅焊料的界面相邻地，分别形成有Sn‑V化合物层以及与所述Sn‑V化合物相邻的(Ni,Cu)3Sn4化合物层。此外，本发明的半导体器件的制造方法通过使所述Sn系无铅焊料与所述Ni‑V电极反应而形成Sn‑V层和(Ni,Cu)3Sn4化合物层，并使得在所述Sn‑V层形成后，在所述Ni‑V电极中残留有未与所述Sn系无铅焊料反应的未反应的层。