公开(公告)号：CN111279807B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN201880069494.5

申请日：2018-10-12

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 吉田勇 ,  鸭志田胜 ,  执行俊和 ,  山下志郎

IPC: H05K7/20 ,  H01L23/36

Abstract: 本发明的电子控制装置包括：包括电子部件的发热体；用于搭载所述发热体的基板；和能够经由基板固定部固定所述基板的壳体，壳体具有多个凸部，该多个凸部从与基板相对的、壳体的作为高度的基准的基准面突出至基板一侧，且从基准面起的高度不同，多个凸部中的从基准面起的高度最高的凸部经由散热部件与和基板的搭载发热体的面相反一侧的面相接触。

公开(公告)号：CN119422235A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202380049573.0

申请日：2023-05-10

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 加藤薰子 ,  池田靖 ,  山下志郎

IPC: H01L21/60 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02

Abstract: 半导体装置包括在第1方向上相对配置的电子部件及基板、和连接电子部件及基板的焊料，电子部件在与基板相对的面上具有第1电极，基板在与电子部件相对的面上具有第2电极，焊料在与电子部件和基板各自的界面处具有作为金属间化合物的接合部，焊料以Sn为主要成分，接合部的第1方向的厚度的偏差小于2微米。

公开(公告)号：CN114144534B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202080052047.6

申请日：2020-05-11

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 池田靖 ,  山下志郎

IPC: C22C13/02 ,  H01L23/12 ,  B23K35/26 ,  H05K3/34

Abstract: 本发明的电子控制装置具备电路基板、电子零件、以及接合电路基板及电子零件的接合部，接合部以Sn为主成分，Bi与Sb的含有比例的合计为3重量％以上，不含In，Ag含有率为3～3.9重量％。

公开(公告)号：CN114175863A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080052276.8

申请日：2020-06-05

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 河喜多心哉 ,  山下志郎 ,  执行俊和

IPC: H05K1/11 ,  H05K1/18 ,  H01R12/58

Abstract: 本发明的电路基板是一种具有供压配合端子部沿深度方向插入的通孔的电路基板，其具有：内壁焊盘，其设置在通孔的内壁；以及多个内层焊盘，它们是设置在电路基板的内层、与电路基板的贴装面大致平行的平面，与内壁焊盘接触，内壁焊盘有与压配合端子部接触的第1区域和与压配合端子部不接触的第2区域，多个内层焊盘中，第1内层焊盘比第2内层焊盘宽广，所述第1内层焊盘是配置在与内壁焊盘的第1区域相同的面内的内层焊盘，所述第2内层焊盘是配置在与内壁焊盘的第2区域相同的面内的内层焊盘。

公开(公告)号：CN114144534A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080052047.6

申请日：2020-05-11

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 池田靖 ,  山下志郎

IPC: C22C13/02 ,  H01L23/12 ,  B23K35/26 ,  H05K3/34

Abstract: 本发明的电子控制装置具备电路基板、电子零件、以及接合电路基板及电子零件的接合部，接合部以Sn为主成分，Bi与Sb的含有比例的合计为3重量％以上，不含In，Ag含有率为3～3.9重量％。