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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN119422235A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202380049573.0

申请日：2023-05-10

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 加藤薰子 , 池田靖 , 山下志郎

IPC: H01L21/60 , B23K35/26 , C22C13/00 , C22C13/02

Abstract: 半导体装置包括在第1方向上相对配置的电子部件及基板、和连接电子部件及基板的焊料，电子部件在与基板相对的面上具有第1电极，基板在与电子部件相对的面上具有第2电极，焊料在与电子部件和基板各自的界面处具有作为金属间化合物的接合部，焊料以Sn为主要成分，接合部的第1方向的厚度的偏差小于2微米。

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