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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN113412539A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202080012569.3

申请日：2020-01-15

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 高木佑辅 , 寺山谅 , 滨谷康 , 池田靖

IPC: H01L23/29 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/60

Abstract: 本发明的作为半导体装置的功率半导体模块包括半导体元件(155)、以及与半导体元件(155)相对地配置并经由焊料(162)连接到半导体元件(155)的引线框(318)。引线框(318)具有包含与半导体元件(155)相对的面的顶面(331)、以及与顶面(331)构成规定的角度并且连接到顶面(331)的周缘部(333)的侧面(334)。引线框(318)的顶面包含与焊料(162)相接的焊料面(332)、以及与焊料面(332)相比焊料(162)更难浸润的阻焊面。该阻焊面包围焊料面(332)的周围来形成。由此，当在半导体装置中对半导体元件和引线框进行焊料接合时，能适当地控制焊料浸润扩散的区域。

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