公开(公告)号：CN110771027B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201880039030.X

申请日：2018-05-22

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 露野円丈 ,  岛津博美 ,  难波明博 ,  松下晃 ,  宝藏寺裕之 ,  西原淳夫 ,  石井利昭 ,  平尾高志

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/433 ,  H01L25/18 ,  H02M7/00 ,  H02M7/5387 ,  H01L25/07 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明的目的在于确保功率半导体装置的可靠性并且提高生产率。本发明的特征在于，具备：电路体，其包含半导体元件和导体部而构成；第1绝缘构件和第2绝缘构件，它们隔着所述电路体相互对置；第1基座和第2基座，它们隔着所述电路体、所述第1绝缘构件和所述第2绝缘构件相互对置；壳体，其形成有由所述第1基座覆盖的第1开口部以及由所述第2基座覆盖的第2开口部；以及距离限制部，其设置在所述第1基座和所述第2基座之间的空间内，并且通过与该双方的基座接触来限制该第1基座和该第2基座之间的距离。

公开(公告)号：CN111587528B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201880086160.9

申请日：2018-12-11

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 露野円丈 ,  宝藏寺裕之

IPC: H02M7/48 ,  H01L23/473 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明的课题在于提高功率半导体装置的可靠性。本发明为一种功率半导体装置，具备：半导体元件；第1端子及第2端子，所述第1端子及第2端子向所述半导体元件传输电流；第1基座及第2基座，所述第1基座及第2基座夹持所述第1端子的一部分、所述第2端子的一部分以及所述半导体元件且互相相对地配置；以及密封材料，其被设置于所述第1基座与所述第2基座之间的空间内，所述第2端子具有中间部，所述中间部以沿着从所述半导体元件离开的方向而使与所述第1端子的距离变大的方式形成，所述中间部设置于所述第1基座与所述第2基座之间并且设置于所述密封材料内。