公开(公告)号：CN112640099B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201980056162.8

申请日：2019-07-26

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 松下晃 ,  志村隆弘 ,  高木佑辅

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能抑制组装效率的降低并提高抗震性的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置(1)包括元件设置导体(2)，其由设置功率半导体元件(300)的金属制的第一导体部(20a)、构成一个以上的向功率半导体元件(300)传输电流的主端子(2a)和一个以上的向功率半导体元件(300)传输开关控制信号的控制端子(2b)的金属制的第二导体部(2b)、以及设置在控制端子(2b)的前端部的金属制的第三导体部(20c)构成，元件设置导体(2)形成为第二导体部(20b)最厚部分的厚度比第一导体部(20a)的厚度要薄，且第三导体部(20c)最厚部分的厚度比第二导体部(20b)最薄部分的厚度要薄。

公开(公告)号：CN118355488A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202180104716.4

申请日：2021-12-15

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 志村隆弘 ,  堺祥一 ,  楠川顺平

IPC: H01L23/36

Abstract: 半导体装置具备：第一导体构件，其与开关元件连接；第二导体构件，其与开关元件连接；散热构件，其与并列配置的第一导体构件及第二导体构件相对配置；以及绝缘构件，其具有与第一导体构件相对的第一中间导体、与第二导体构件相对的第二中间导体、以及内包第一中间导体及第二中间导体的电绝缘层，绝缘构件配置在并列配置的第一导体构件及第二导体构件和散热构件之间，其中，电绝缘层包括配置有第一中间导体的第一绝缘层、配置有第二中间导体的第二绝缘层、以及介于第一绝缘层和第二绝缘层之间的第三绝缘层。

公开(公告)号：CN109478546B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201780044201.3

申请日：2017-06-30

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 高木佑辅 ,  德山健 ,  河野俊 ,  志村隆弘 ,  松下晃

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明提高接合至电性并联的多个半导体元件的接合线与引线框的接合强度。本发明中，第1接合线(324a)的一端及另一端连接到第1半导体元件(328)的控制电极(332)以及第1引线框部(326)或弯曲部(371)，第2接合线(324b)的一端及另一端连接到第2半导体元件(329)的控制电极(333)以及第2引线框部(327)。第1引线框部(326)从弯曲部(371)朝与第1半导体元件(328)侧相反那一侧沿与第1半导体元件(328)重叠的方向延伸，第2引线框部(329)从弯曲部(371)朝第2半导体元件侧(329)沿与第2半导体元件(329)重叠的方向延伸。