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公开(公告)号:CN1806326A
公开(公告)日:2006-07-19
申请号:CN200580000511.2
申请日:2005-03-15
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/78 , C09J7/02 , C09J133/14 , C09J157/00 , C09J161/10 , C09J161/28 , C09J163/00 , C09J175/04
CPC classification number: C09J163/10 , C08L63/00 , C08L2666/02 , C08L2666/22 , C09J7/35 , C09J133/068 , C09J161/06 , C09J161/28 , C09J175/14 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , C09J2475/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191
Abstract: 本发明提供一种切割用芯片粘贴薄膜,在进行切割时,其可作为切割用胶带使用,从而在进行取出时,半导体元件与接着剂层能容易地从粘合剂层进行剥离,且接着剂层在作为粘晶材料时,具有足够的接着性。前述粘合剂层包含:分子中含有碘值为0.5~20的放射线硬化性碳—碳双键的化合物(A),和从聚异氰酸酯类、三聚氰胺甲醛树脂及环氧树脂所组成的族群中选择的至少一种的化合物(B)。前述接着剂层包含:环氧树脂(a)、羟基的当量大于等于150g/eq的酚醛树脂(b)、含有0.5~6重量%的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯且重均分子量在10万以上的含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)、填充剂(d)和硬化促进剂(e)。
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公开(公告)号:CN100411138C
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200580000511.2
申请日:2005-03-15
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/78 , C09J7/02 , C09J133/14 , C09J157/00 , C09J161/10 , C09J161/28 , C09J163/00 , C09J175/04
CPC classification number: C09J163/10 , C08L63/00 , C08L2666/02 , C08L2666/22 , C09J7/35 , C09J133/068 , C09J161/06 , C09J161/28 , C09J175/14 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , C09J2475/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191
Abstract: 本发明提供一种切割用芯片粘贴薄膜,在进行切割时,其可作为切割用胶带使用,从而在进行取出时,半导体元件与接着剂层能容易地从粘合剂层进行剥离,且接着剂层在作为粘晶材料时,具有足够的接着性。前述粘合剂层包含:分子中含有碘值为0.5~20的放射线硬化性碳—碳双键的化合物(A),和从聚异氰酸酯类、三聚氰胺甲醛树脂及环氧树脂所组成的族群中选择的至少一种的化合物(B)。前述接着剂层包含:环氧树脂(a)、羟基的当量大于等于150g/eq的酚醛树脂(b)、含有0.5~6重量%的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯且重均分子量在10万以上的含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)、填充剂(d)和硬化促进剂(e)。
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公开(公告)号:CN1916097B
公开(公告)日:2010-05-12
申请号:CN200610100287.0
申请日:2002-08-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/83191 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 粘合薄片,其具备粘合剂层和底材层,通过放射线照射来控制上述粘合剂层和上述底材层间的粘合力,上述粘合剂层含有以下的成分:(a)热塑性树脂、(b)热聚合性成分、以及(c)通过放射线照射而产生碱基的化合物。本发明的粘合薄片是满足在切割时具有使半导体元件不飞散的足够的粘合力,此后通过照射放射线来控制上述粘合剂层和底材间的粘合力,从而在取出时具有不损伤各元件的低粘着力的这样相反要求的粘合薄片。
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公开(公告)号:CN100473704C
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN02816650.7
申请日:2002-08-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J163/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J163/00 , C09J2203/326 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/83 , H01L2224/83191 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 粘合薄片,其具备粘合剂层和底材层,通过放射线照射来控制上述粘合剂层和上述底材层间的粘合力,上述粘合剂层含有以下的成分:(a)热塑性树脂、(b)热聚合性成分、以及(c)通过放射线照射而产生碱基的化合物。本发明的粘合薄片是满足在切割时具有使半导体元件不飞散的足够的粘合力,此后通过照射放射线来控制上述粘合剂层和底材间的粘合力,从而在取出时具有不损伤各元件的低粘着力的这样相反要求的粘合薄片。
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公开(公告)号:CN1916097A
公开(公告)日:2007-02-21
申请号:CN200610100287.0
申请日:2002-08-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/83191 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 粘合薄片,其具备压敏粘合剂层和底材层,通过放射线照射来控制上述压敏粘合剂层和上述底材层间的粘合力,上述压敏粘合剂层含有以下的成分:(a)热塑性树脂、(b)热聚合性成分以及(c)通过放射线照射而产生碱基的化合物。本发明的粘合薄片是满足在切割时具有使半导体元件不飞散的足够的粘合力,此后通过照射放射线来控制上述压敏粘合剂层和底材间的粘合力,从而在取出时具有不损伤各元件的低粘着力的这样相反要求的粘合薄片。
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公开(公告)号:CN1763144A
公开(公告)日:2006-04-26
申请号:CN200410098048.7
申请日:2001-02-15
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J163/00 , H01L21/52 , H01L21/58
Abstract: 一种粘接剂组合物及其制造方法,该组合物由环氧树脂(a)、固化剂(b)、以及与环氧树脂为非相溶的高分子化合物(c)所组成,必要时还包括填充剂(d)或/和固化促进剂(e);其制造方法为:先混合环氧树脂(a)以及固化剂(b)与填充剂(d),再混合与环氧树脂系为非相溶的高分子化合物(c)于该混合物。本发明还涉及将上述粘接剂组合物制成薄膜状而形成的粘接薄膜、于电路基板的芯片装载面设置有该粘接薄膜的半导体装载用基板、以及使用该粘接薄膜或半导体装载用基板的半导体装置。
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公开(公告)号:CN1208418C
公开(公告)日:2005-06-29
申请号:CN01805118.9
申请日:2001-02-15
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J7/00 , H01L21/52 , H01L23/14
Abstract: 一种粘接剂组合物及其制造方法,该组合物由环氧树脂(a)、固化剂(b)、以及与环氧树脂为非相溶的高分子化合物(c)所组成,必要时还包括填充剂(d)或/和固化促进剂(e);其制造方法为:先混合环氧树脂(a)以及固化剂(b)与填充剂(d),再混合与环氧树脂系为非相溶的高分子化合物(c)于该混合物。本发明还涉及将上述粘接剂组合物制成薄膜状而形成的粘接薄膜、于电路基板的芯片装载面设置有该粘接薄膜的半导体装载用基板、以及使用该粘接薄膜或半导体装载用基板的半导体装置。
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公开(公告)号:CN102709201A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201210191649.7
申请日:2008-03-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/58 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/29 , C09J7/00 , C09J179/08 , C08G73/10
CPC classification number: C09J183/10 , C08G73/106 , C08G77/26 , C08G77/452 , C09D183/08 , C09J179/08 , C09J183/08 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/296 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/274 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/2826 , Y10T428/2896 , H01L2924/07025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体用粘接膜,其能够在低温下贴附在半导体晶片,可以在充分地抑制芯片裂纹或毛刺的产生的同时,以良好的产品合格率由半导体晶片得到半导体芯片。本发明的半导体用粘接膜含有聚酰亚胺树脂,可以利用含有由下述化学式(I)表示的4,4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐;与含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应得到,能够在100℃以下贴附在半导体晶片。
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公开(公告)号:CN102148179B
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN201110008103.9
申请日:2007-06-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/60 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/67092 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2221/6834 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2224/83885 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07811 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供一种粘结薄膜的使用方法,该方法在高效地获得附有粘结薄膜的半导体芯片单片的同时,可以使半导体芯片与配线基板良好地连接。该使用方法,经过以半导体晶片(6)的电路面(6a)向着切割带(9)一侧的方式而将由切割带(9)、粘结薄膜(3)以及半导体晶片(6)按照这一顺序叠层所得的层压体(60)的准备工序,从与所述半导体晶片(6)的反面(6b)识别所述电路面(6a)的电路图案(P)进而识别切割位置的工序,至少将所述半导体晶片(6)以及所述粘结薄膜(3)在所述层压体(60)的厚度方向上切割的工序,得到连接于配线基板的半导体芯片单片,由此防止半导体芯片的污染,而且可以防止由飞散、流出引起的丢失。
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公开(公告)号:CN102148179A
公开(公告)日:2011-08-10
申请号:CN201110008103.9
申请日:2007-06-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/60 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/67092 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2221/6834 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2224/83885 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07811 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供一种粘结薄膜的使用方法,该方法在高效地获得附有粘结薄膜的半导体芯片单片的同时,可以使半导体芯片与配线基板良好地连接。该使用方法,经过以半导体晶片(6)的电路面(6a)向着切割带(9)一侧的方式而将由切割带(9)、粘结薄膜(3)以及半导体晶片(6)按照这一顺序叠层所得的层压体(60)的准备工序,从与所述半导体晶片(6)的反面(6b)识别所述电路面(6a)的电路图案(P)进而识别切割位置的工序,至少将所述半导体晶片(6)以及所述粘结薄膜(3)在所述层压体(60)的厚度方向上切割的工序,得到连接于配线基板的半导体芯片单片,由此防止半导体芯片的污染,而且可以防止由飞散、流出引起的丢失。
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