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    接合体的制造方法
    1.
    发明授权
    接合体的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106068251B

    公开(公告)日：2019-12-27

    申请号：CN201580012245.9

    申请日：2015-03-05

    申请人： 日本碍子株式会社

    发明人： 南智之 ,  曻和宏 ,  川尻哲也

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  C04B37/02

    摘要： 在工序(a)中，将保护环(60)按照由陶瓷基体(12)(第2部件)的接合面(13)堵住贯通孔(61)的一侧开口方式配置于陶瓷基体(12)上。在工序(b)中，将包含金属的钎料(56)、包含热膨胀系数比钎料(56)小的材料的粉末(54)、供电端子(40)插入于贯通孔(61)的内部，使得陶瓷基体(12)的接合面(13)与供电端子(40)的接合面(43)对置且钎料(56)和粉末(54)位于陶瓷基体(12)与供电端子(40)之间。在工序(c)中，使钎料(56)熔融，使钎料(56)含浸于粉末(54)之间而形成包含钎料(56)和粉末(54)的接合层，介由接合层将接合面(13)与接合面(43)进行接合。

    静电吸盘
    2.
    发明授权
    静电吸盘 有权

    公开(公告)号：CN100492609C

    公开(公告)日：2009-05-27

    申请号：CN200610169238.2

    申请日：2006-12-21

    申请人： 日本碍子株式会社

    发明人： 森冈育久 ,  鹤田英芳 ,  川尻哲也 ,  鸟越猛

    IPC分类号： H01L21/683

    CPC分类号： H02N13/00 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6875

    摘要： 本发明是利用库仑力的静电吸盘，其提供在维持吸附力的状态下，减少附着在基板上的颗粒的静电吸盘。静电吸盘(10)具备：基体(11)；形成于该基体(11)上并产生库仑力的电极(12)；在对基板(1)进行支撑的一侧的第1主面上具有以突起上面支撑该基板(1)的多个突起(13a)的电介质层(13)，突起(13a)之间的间隔大致均等地设置，突起上面的表面粗糙度(Ra)在0.5μm以下，突起(13a)的高度为5～20μm，使第1主面每单位面积100cm2的所述突起(13a)的数目为A(个/100cm2)，所述突起(13a)的高度为B(μm)时，满足数式A1/2×B2＞200的关系。

    半导体制造装置用部件
    4.
    发明公开
    半导体制造装置用部件 有权

    公开(公告)号：CN104064494A

    公开(公告)日：2014-09-24

    申请号：CN201410100477.7

    申请日：2014-03-18

    申请人： 日本碍子株式会社

    发明人： 大场教磨 ,  川尻哲也 ,  片居木俊

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683

    CPC分类号： H01L21/67 ,  B32B7/12 ,  B32B15/04 ,  B32B18/00 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/31522

    摘要： 本发明的课题是提供一种半导体制造装置用部件，其为将陶瓷零件与金属零件通过热固化片进行接合的半导体制造装置用部件，其能够充分耐受在高温时的应用。本发明的半导体制造装置用部件（10）为将氧化铝制的静电卡盘（12）与铝制的冷却板（14）通过热固化片（16）进行接合的半导体制造装置用部件。热固化片（16）是使环氧-丙烯酸系混合的粘结剂固化而成的热固化片。粘结剂含有（A）能够进行氢转移型加聚的环氧树脂、（B）丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的聚合物、（C）固化剂。

    晶片保持台及其制法
    5.
    发明授权
    晶片保持台及其制法 有权

    公开(公告)号：CN105580129B

    公开(公告)日：2018-10-02

    申请号：CN201580001957.0

    申请日：2015-09-04

    申请人： 日本碍子株式会社

    发明人： 矢纳拓弥 ,  大场教磨 ,  川尻哲也 ,  鹤田英芳

    IPC分类号： H01L21/683 ,  C04B37/02

    摘要： 本发明提供晶片保持台(10)，其在陶瓷制的静电卡盘(12)与金属制的冷却板(14)之间具备树脂制的粘接层(16)。粘接层(16)包含与静电卡盘(12)接触的第一层(16a)、与冷却板(14)接触的第二层(16b)、以及位于第一层(16a)和第二层(16b)之间的中间层(16c)。第一层(16a)和中间层(16c)的耐热性比第二层(16b)的耐热性高，第二层(16b)的柔软性比第一层(16a)和中间层(16c)的柔软性高，各层气密地接触。

    带加热器的静电吸盘以及带加热器的静电吸盘的制造方法
    8.
    发明公开
    带加热器的静电吸盘以及带加热器的静电吸盘的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN101131955A

    公开(公告)日：2008-02-27

    申请号：CN200710146598.5

    申请日：2007-08-22

    申请人： 日本碍子株式会社

    发明人： 曻和宏 ,  川尻哲也 ,  服部亮誉 ,  森冈育久

    IPC分类号： H01L21/683

    CPC分类号： H01L21/6831 ,  Y10T279/23

    摘要： 本发明提供吸附特性、热均匀性和耐绝缘破坏性优良的带加热器的静电吸盘。带加热器的静电吸盘(1)具备由包含氧化铝的烧结体做成的基体(2)、在基体中的上侧设置的ESC电极(3)、埋在基体中的下侧而设置的电阻发热体(4)，基体由从ESC电极到基体的上表面(2a)的电介质层(21)、从ESC电极到基体的下表面(2b)的支撑部件(22)构成。支撑部件在与电介质层相接的ESC电极附近区域(22a)和比该ESC电极附近区域(22a)更下方的下方区域(22b)的碳含量不同，电介质层中的碳含量在100wtppm以下，ESC电极附近区域的碳含量在0.13wt％以下，下方区域的碳含量在0.03wt％以上，并且，该ESC电极附近区域的碳含量比下方区域的碳含量更小。电阻发热体(4)含有铌或铂。

    接合体的制造方法以及接合体
    9.
    发明授权
    接合体的制造方法以及接合体 有权

    公开(公告)号：CN106061924B

    公开(公告)日：2020-08-07

    申请号：CN201580011169.X

    申请日：2015-03-05

    申请人： 日本碍子株式会社

    发明人： 南智之 ,  曻和宏 ,  川尻哲也

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  C04B37/02

    摘要： 在工序(a)中，将包含热膨胀系数大于陶瓷基体(12)的金属的钎料(56)、热膨胀系数比钎料(56)小的多孔体(54)以及供电端子(40)，按照供电端子(40)的接合面(43)与陶瓷基体(12)的接合面(13)对置的方式配置于接合面上(13)。在工序(b)中，使钎料(56)熔融，使钎料(56)渗透到多孔体(54)的气孔内而形成包含钎料(56)和多孔体(54)的接合层，介由接合层将陶瓷基体(12)的接合面(13)与供电端子(40)的接合面(43)进行接合。

    半导体制造装置用部件
    10.
    发明授权
    半导体制造装置用部件 有权

    公开(公告)号：CN104064494B

    公开(公告)日：2018-04-17

    申请号：CN201410100477.7

    申请日：2014-03-18

    申请人： 日本碍子株式会社

    发明人： 大场教磨 ,  川尻哲也 ,  片居木俊

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683

    CPC分类号： H01L21/67 ,  B32B7/12 ,  B32B15/04 ,  B32B18/00 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/31522

    摘要： 本发明的课题是提供一种半导体制造装置用部件，其为将陶瓷零件与金属零件通过热固化片进行接合的半导体制造装置用部件，其能够充分耐受在高温时的应用。本发明的半导体制造装置用部件（10）为将氧化铝制的静电卡盘（12）与铝制的冷却板（14）通过热固化片（16）进行接合的半导体制造装置用部件。热固化片（16）是使环氧‑丙烯酸系混合的粘结剂固化而成的热固化片。粘结剂含有（A）能够进行氢转移型加聚的环氧树脂、（B）丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的聚合物、（C）固化剂。