公开(公告)号：CN119908030A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202280035573.0

申请日：2022-10-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 杉本博哉 ,  森冈育久 ,  峯庆太 ,  田村隆二 ,  平田夏树 ,  梶浦阳平

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供能够在晶片载放台制造后调整载放面处的均热性的方法。进行以下工序：a)准备晶片载放台，该晶片载放台具备：陶瓷基体，其具备晶片的载放面且能够通电加热；以及冷却板，其接合于陶瓷基体，能够利用被供给到流路的冷媒进行冷却，并由流路所在的基部和相对于基部而装卸自如且通过自基部拆下而能够使流路敞开的盖部构成冷却板；b)将盖部安装于基部，一边进行通电加热和冷却，一边对温度分布进行测定；c)温度分布不满足规定的基准的情况下，将盖部拆下，对流路形状局部地进行调整；d)在将盖部安装于基部之后，一边进行通电加热和冷却，一边对被调整了流路形状的晶片载放台的温度分布进行再次测定，反复进行工序c)、d)，直至再次测定得到的温度分布满足规定的基准为止。

公开(公告)号：CN1988128A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610169238.2

申请日：2006-12-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 森冈育久 ,  鹤田英芳 ,  川尻哲也 ,  鸟越猛

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H02N13/00 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明是利用库仑力的静电吸盘，其提供在维持吸附力的状态下，减少附着在基板上的颗粒的静电吸盘。静电吸盘(10)具备：基体(11)；形成于该基体(11)上并产生库仑力的电极(12)；在对基板(1)进行支撑的一侧的第1主面上具有以突起上面支撑该基板(1)的多个突起(13a)的电介质层(13)，突起(13a)之间的间隔大致均等地设置，突起上面的表面粗糙度(Ra)在0.5μm以下，突起(13a)的高度为5～20μm，使第1主面每单位面积100cm2的所述突起(13a)的数目为A(个/100cm2)，所述突起(13a)的高度为B(μm)时，满足数式A1/2×B2＞200的关系。

公开(公告)号：CN116110765B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202210788205.5

申请日：2022-07-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也 ,  森冈育久

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及金属接合层(40)。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)具有冷媒流路(32)。金属接合层(40)将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合。关于冷媒流路(32)中的俯视与晶片载放面(22a)重复的区域处的最上游部(32U)和最下游部(32L)的冷媒流路(32)的截面积，最下游部(32L)的该截面积比最上游部(32U)的该截面积小。

公开(公告)号：CN110770891B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201880041614.0

申请日：2018-10-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  森冈育久 ,  片居木俊 ,  相川贤一郎

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

Abstract: 一种静电卡盘(20)，其具备：圆板状的陶瓷基体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(28a)的外侧具有比晶片载置面(28a)低的环状台阶面(24a)，且具有能够发挥库仑力的体积电阻率；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷基体(22)的内部中与晶片载置面(28a)相对的位置；聚焦环吸附用电极(38)，其在陶瓷基体(22)的环状台阶面(24a)上与晶片吸附用电极(32)独立地设置；以及喷镀膜(28)，其被覆设置有聚焦环吸附用电极(38)的环状台阶面(24a)，具有能够发挥约翰逊‑拉别克力的体积电阻率。喷镀膜(28)的上表面为用于载置聚焦环的聚焦环载置面(28a)。

公开(公告)号：CN110770891A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201880041614.0

申请日：2018-10-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  森冈育久 ,  片居木俊 ,  相川贤一郎

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

Abstract: 一种静电卡盘(20)，其具备：圆板状的陶瓷基体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(28a)的外侧具有比晶片载置面(28a)低的环状台阶面(24a)，且具有能够发挥库仑力的体积电阻率；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷基体(22)的内部中与晶片载置面(28a)相对的位置；聚焦环吸附用电极(38)，其在陶瓷基体(22)的环状台阶面(24a)上与晶片吸附用电极(32)独立地设置；以及喷镀膜(28)，其被覆设置有聚焦环吸附用电极(38)的环状台阶面(24a)，具有能够发挥约翰逊-拉别克力的体积电阻率。喷镀膜(28)的上表面为用于载置聚焦环的聚焦环载置面(28a)。

公开(公告)号：CN101207945A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710192722.1

申请日：2007-11-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 森冈育久 ,  相原靖文 ,  鹤田英芳

IPC: H05B3/06 ,  H05B3/28 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供在半导体制造工艺中能够均匀地加工被加热物的加热装置。加热装置(10)具备：具有加热面的基体(11)；以及埋设在该陶瓷基体(11)的内部的发热体(12)。在该陶瓷基体(11)内部的加热面(11a)和所述发热体(12)之间具有导热性部件(14)。导热性部件(14)具有比陶瓷基体高的导热率。

公开(公告)号：CN116895504A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310127913.9

申请日：2023-02-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 森冈育久 ,  竹林央史 ,  久野达也 ,  井上靖也

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/20 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，其在不会妨碍对象物的吸附的状态下提高等离子体的产生效率。晶片载放台(10)具备陶瓷板(20)和导电性基材(30)。陶瓷板(20)在具有晶片载放面(21a)的板中央部(21)的外周具备具有聚焦环载放面(25a)的板环状部(25)。导电性基材(30)设置于陶瓷板(20)的下表面，用作高频源电极。在板环状部(25)以自聚焦环载放面(25a)起算为相同高度植入有聚焦环吸附用电极(26)和被供给偏置用高频的聚焦环侧高频偏置电极(27)。

公开(公告)号：CN116190186A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202210852241.3

申请日：2022-07-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也 ,  森冈育久

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，其上表面具有能够载放晶片的晶片载放面，且内置有电极(26)；冷却基材(30)，其具有冷媒流路(32)；金属接合层(40)，其将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合；以及多个小突起(22c)，它们在晶片载放面(22a)的基准面(22d)以顶面支撑晶片(W)的下表面。小突起(22c)的顶面在同一平面上。在晶片载放面(22a)的俯视与冷媒流路(32)重复的流路重复范围(R10)内，俯视冷媒流路(32)时与晶片载放面(22a)重复的范围内的与最上游部(32U)对置的小区域(A1)中，小突起(22c)的面积率最低。

公开(公告)号：CN100492609C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200610169238.2

申请日：2006-12-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 森冈育久 ,  鹤田英芳 ,  川尻哲也 ,  鸟越猛

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H02N13/00 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明是利用库仑力的静电吸盘，其提供在维持吸附力的状态下，减少附着在基板上的颗粒的静电吸盘。静电吸盘(10)具备：基体(11)；形成于该基体(11)上并产生库仑力的电极(12)；在对基板(1)进行支撑的一侧的第1主面上具有以突起上面支撑该基板(1)的多个突起(13a)的电介质层(13)，突起(13a)之间的间隔大致均等地设置，突起上面的表面粗糙度(Ra)在0.5μm以下，突起(13a)的高度为5～20μm，使第1主面每单位面积100cm2的所述突起(13a)的数目为A(个/100cm2)，所述突起(13a)的高度为B(μm)时，满足数式A1/2×B2＞200的关系。

公开(公告)号：CN101389161A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810215336.4

申请日：2008-09-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 森冈育久 ,  鹤田英芳 ,  相原靖文

IPC: H05B3/06 ,  H05B3/28 ,  H01L21/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67103

Abstract: 本发明涉及加热装置。提供能够在面内均匀地加热安装在加热面上的被加热物，并且可在较宽的温度范围内维持良好的均热性的加热装置。加热装置(10)具备：具有加热面(11a)、埋设有电阻发热体(12)的陶瓷基体(11)和接近该陶瓷基体(11)的背面(11b)安装固定的温度调节部件(21)。在该陶瓷基体(11)的加热面和电阻发热体(12)之间配置有具有导热率比陶瓷基体(11)的导热率更高的导热性部件(14)。在陶瓷基体(11)和温度调节部件(21)之间的间隙(31)压力可调地导入气体。