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公开(公告)号:CN119908030A
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202280035573.0
申请日:2022-10-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供能够在晶片载放台制造后调整载放面处的均热性的方法。进行以下工序:a)准备晶片载放台,该晶片载放台具备:陶瓷基体,其具备晶片的载放面且能够通电加热;以及冷却板,其接合于陶瓷基体,能够利用被供给到流路的冷媒进行冷却,并由流路所在的基部和相对于基部而装卸自如且通过自基部拆下而能够使流路敞开的盖部构成冷却板;b)将盖部安装于基部,一边进行通电加热和冷却,一边对温度分布进行测定;c)温度分布不满足规定的基准的情况下,将盖部拆下,对流路形状局部地进行调整;d)在将盖部安装于基部之后,一边进行通电加热和冷却,一边对被调整了流路形状的晶片载放台的温度分布进行再次测定,反复进行工序c)、d),直至再次测定得到的温度分布满足规定的基准为止。
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公开(公告)号:CN114245936B
公开(公告)日:2025-02-11
申请号:CN202080056190.2
申请日:2020-07-28
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor: 田村隆二
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , C23C16/509 , C23C16/458 , H05B3/74
Abstract: 本发明的半导体制造装置用构件是在表面为晶片载置面的陶瓷板的背面设置有中空陶瓷轴的结构。该半导体制造装置用构件具备埋设于陶瓷板的RF电极、配置于陶瓷轴的中空内部的外侧的RF连接器、以及设置于RF连接器与RF电极之间的RF连杆构件。RF连杆构件具有由多个RF杆构成的分支部,分支部延续至陶瓷轴的外侧。
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公开(公告)号:CN114245936A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202080056190.2
申请日:2020-07-28
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor: 田村隆二
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , C23C16/509 , C23C16/458 , H05B3/74
Abstract: 本发明的半导体制造装置用构件是在表面为晶片载置面的陶瓷板的背面设置有中空陶瓷轴的结构。该半导体制造装置用构件具备埋设于陶瓷板的RF电极、配置于陶瓷轴的中空内部的外侧的RF连接器、以及设置于RF连接器与RF电极之间的RF连杆构件。RF连杆构件具有由多个RF杆构成的分支部,分支部延续至陶瓷轴的外侧。
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