公开(公告)号：CN1087492C

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN96105708.4

申请日：1996-02-21

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松本明

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/456

Abstract: 一个MIS型场效应晶体管具有用硅化钛层(26a)覆盖的源/漏区(25e)，硅化钛层与埋入硅基片(20)的被埋入置的绝缘结构24相接，接触孔(27a)在氧化硅的中间绝缘层27中形成，中间绝缘层(27)暴露一部分上氮化硅层(23)和一部分硅化钛层(26a)于该接触孔(27a)，当中间绝缘层(27)被有选择地腐蚀以形成接触孔(27a)，上氮气硅层(23)就作为阻蚀层，接触孔(27a)绝不会到达埋置绝缘结构(24)下面的硅基片(20)。

公开(公告)号：CN1211813A

公开(公告)日：1999-03-24

申请号：CN98119343.9

申请日：1998-09-17

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松本明

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/36 ,  H05K3/0002

Abstract: 本发明提供了一种曝光图形掩模,包括一集成电路布线图形和一虚拟图形,所述集成电路布线图形由多个布线图形元素构成,所述虚拟图形由多个设置于所述布线图形元素末端附近的虚拟图形元素构成,该掩模可防止小尺寸布线图形元素曝光的失败。

公开(公告)号：CN1203450A

公开(公告)日：1998-12-30

申请号：CN98109607.7

申请日：1998-06-01

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 小田典明 ,  松本明

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/914 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件,含有衬底、第一布线层、第一氧化膜、介质膜、第一氮层、第二布线层、通孔、和第二氮层。第一布线层形成在衬底上,第一氧化膜形成在第一布线层上。介质膜具有低介电常数,并设置在第一和第二布线层之间。第一氮层含有氮,并形成在第一氧化膜中。穿过介质膜形成通孔,并设置在第一布线层和第二布线层之间,电连接第一布线层和第二布线层。第二氮层含有氮,并形成在通孔的侧壁上。

公开(公告)号：CN1218286A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98122681.7

申请日：1998-11-20

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 石上隆司 ,  松本明 ,  石川拓

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/302

Abstract: 提供高集成度并且在低电阻下有高可靠性的多层布线的半导体器件的制造方法。在下层布线和上层布线的连接栓塞24上,使用与下层布线相同材料的铝或铝合金,将该栓塞的形成作为在下层布线和上层布线间的绝缘膜的叠置前下层布线上的凸形图形的栓塞24来形成。接着,在使栓塞24的侧壁经阳极氧化进行铝化9后,进行下层布线23的形成。

公开(公告)号：CN1216397A

公开(公告)日：1999-05-12

申请号：CN98124336.3

申请日：1998-10-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松本明

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L2221/1031

Abstract: 在一块半导体基片上形成第一绝缘膜。然后在该第一绝缘膜上形成第一光刻胶。在该第一光刻胶中形成接触孔的图案。然后,以该第一光刻胶为掩膜,对第一绝缘膜进行蚀刻,从而形成接触孔。然后除去该第一光刻胶,并在整个表面上形成有机绝缘膜。另外,在该有机绝缘膜上形成第二绝缘膜。然后,在该第二绝缘膜上形成第二光刻胶。在该第二光刻胶中形成布线沟道的图案。然后,以该第二光刻胶为掩膜,对第二绝缘膜进行蚀刻。然后以该第二绝缘膜为掩膜对该有机绝缘膜进行蚀刻,从而形成布线沟道。

公开(公告)号：CN1071490C

公开(公告)日：2001-09-19

申请号：CN95119463.1

申请日：1995-12-20

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松本明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76877

Abstract: 在互连被层间绝缘膜所绝缘的上层布线导体和下层布线导体的钨柱塞的形成方法中，在形成于下层布线导体上的层间绝缘膜上形成粘附层。在粘附层上淀积光刻胶层，并在其中形成开口。以其作为掩模，通过各向同性腐蚀，选择性去除缘向外收缩的开口。形成贯通层间绝缘膜的孔，露出下层布线导体，在层间绝缘膜的孔内形成钨层，从而形成填充在层间绝缘膜的孔内的钨。

公开(公告)号：CN1141510A

公开(公告)日：1997-01-29

申请号：CN96105708.4

申请日：1996-02-21

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松本明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/456

Abstract: 一个MIS型场效应晶体管具有用硅化钛层(26a)覆盖的源/漏区(25e)，硅化钛层与埋入硅基片(20)的被埋入置的绝缘结构24相接，接触孔(27a)在氧化硅的中间绝经级层27中形成，中间绝缘层(27)暴露一部分上氮化硅层(23)和一部分硅化钛层(26a)于该接触孔(27a)，当中间绝缘层(27)被有选择地腐蚀以形成接触孔(27a)，上氮气硅层(23)就作为阻蚀层，接触孔(27a)绝不会到达埋置绝缘结构(24)下面的硅基片(20)。

公开(公告)号：CN1135094A

公开(公告)日：1996-11-06

申请号：CN95119463.1

申请日：1995-12-20

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松本明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76877

Abstract: 在互连被层间绝缘膜所绝缘的上层布线导体和下层布线导体的钨柱塞的形成方法中，在形成于下层布线导体上的层间绝缘膜上形成粘附层。在粘附层上淀积光刻胶层，并在其中形成开口。以其作为掩模，通过各向同性腐蚀，选择性去除缘向外收缩的开口。形成贯通层间绝缘膜的孔，露出下层布线导体，在层间绝缘膜的孔内形成钨层，从而形成填充在层间绝缘膜的孔内的钨。