公开(公告)号：CN1218286A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98122681.7

申请日：1998-11-20

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 石上隆司 ,  松本明 ,  石川拓

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/302

Abstract: 提供高集成度并且在低电阻下有高可靠性的多层布线的半导体器件的制造方法。在下层布线和上层布线的连接栓塞24上,使用与下层布线相同材料的铝或铝合金,将该栓塞的形成作为在下层布线和上层布线间的绝缘膜的叠置前下层布线上的凸形图形的栓塞24来形成。接着,在使栓塞24的侧壁经阳极氧化进行铝化9后,进行下层布线23的形成。

公开(公告)号：CN1122301C

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN98101226.4

申请日：1998-03-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 石川拓

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31051 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在晶体管元件上形成氮化膜、BPSG膜和含硼或磷的SOG氧化硅膜；在约5个大气压以上的压力和400℃-700℃的温度下的蒸汽气氛中热处理所得晶片；并在惰性气体气氛中热处理该晶片。第一热处理引起SOG膜的水解作用，形成凝胶态SOG膜，而第二热处理通过去掉SOG膜中所含水分固化SOG膜。SOG膜中的磷或硼减弱了SOG膜中-Si-O-Si-链中的结合键，帮助-Si-O-Si-链的分离，及SOG膜的平面化。

公开(公告)号：CN1105400C

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN98102274.X

申请日：1998-06-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 石川拓

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，首先在衬底上形成隔离多个半导体元件的隔离沟槽，然后在沟槽侧壁上形成热氧化膜，再利用化学汽相淀积在衬底上形成硅氧化膜。最后在高压环境中对整个衬底退火。

公开(公告)号：CN1155160A

公开(公告)日：1997-07-23

申请号：CN96119833.8

申请日：1996-09-26

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 石川拓

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制作半导体器件的方法，包括步骤：a.在半导体基底的上面形成一金属膜；b.采用热处理方法处理基底使金属膜和硅起反应而在栅电极和源/漏区上形成金属硅化物薄膜；c.将金属膜中尚未硅化的部分刻蚀掉；并再包括步骤d.采用等离子体强化的化学汽相沉积法将残留在尚未刻蚀掉的尚未硅化的部分或金属膜除掉。本方法适用于自对准的硅化结构的半导体器件，凭借等离子强化的化学汽相沉积法使得有可能完全去除形成在边墙上的金属薄膜或金属硅化物薄膜。

公开(公告)号：CN1202727A

公开(公告)日：1998-12-23

申请号：CN98102274.X

申请日：1998-06-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 石川拓

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 一种半导体器件的制造方法,首先在衬底上形成隔离多个半导体元件的隔离沟槽,然后在沟槽侧壁上形成热氧化膜,再利用化学汽相淀积在衬底上形成硅氧化膜。最后在高压环境中对整个衬底退火。

公开(公告)号：CN1195884A

公开(公告)日：1998-10-14

申请号：CN98101226.4

申请日：1998-03-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 石川拓

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31051 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828

Abstract: 一种制造半导体器件的方法,包括:在晶体管元件上形成氮化膜、BPSG膜和含硼或磷的SOG氧化硅膜;在加压蒸汽气氛中热处理所得晶片;并在惰性气体气氛中热处理该晶片。第一热处理引起SOG膜的水解作用,形成凝胶态SOG膜,而第二热处理通过去掉SOG膜中所含水分固化SOG膜。SOG膜中的磷或硼减弱了SOG膜中－Si－O－Si－链中的结合键,帮助－Si－O－Si－链的分离,及SOG膜的平面化。