公开(公告)号：CN1209646A

公开(公告)日：1999-03-03

申请号：CN98117626.7

申请日：1998-08-24

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山田义明 ,  松原义久 ,  石上隆司

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28562 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置的制造方法是在硅衬底上形成的半导体元件的规定区域内形成高熔点金属的硅化物层的半导体装置的制造方法中,防止硅化反应的阻碍,合适地形成膜厚较薄阻抗较低的硅化物层。该方法在钛膜107上形成膜应力在1×1010dyne/cm2以下的氮化钛膜108,由之后的热处理形成钛硅化物层109。氮化钛膜108中的氮原子数量在钛的30%以上80%以下。

公开(公告)号：CN1096705C

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN98117626.7

申请日：1998-08-24

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山田义明 ,  松原义久 ,  石上隆司

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28562 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置的制造方法是在硅衬底上形成的半导体元件的规定区域内形成高熔点金属的硅化物层的半导体装置的制造方法中，防止硅化反应的阻碍，合适地形成膜厚较薄阻抗较低的硅化物层。该方法在钛膜107上形成膜应力在1×1010dyne/cm2以下的氮化钛膜108，由之后的热处理形成钛硅化物层109。氮化钛膜108中的氮原子数量在钛的30%以上80%以下。

公开(公告)号：CN1218286A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98122681.7

申请日：1998-11-20

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 石上隆司 ,  松本明 ,  石川拓

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/302

Abstract: 提供高集成度并且在低电阻下有高可靠性的多层布线的半导体器件的制造方法。在下层布线和上层布线的连接栓塞24上,使用与下层布线相同材料的铝或铝合金,将该栓塞的形成作为在下层布线和上层布线间的绝缘膜的叠置前下层布线上的凸形图形的栓塞24来形成。接着,在使栓塞24的侧壁经阳极氧化进行铝化9后,进行下层布线23的形成。