公开(公告)号：CN101111952A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200680002117.7

申请日：2006-01-10

Applicant: 日东电工株式会社 ,  新时代技研株式会社

Inventor： 市川智昭 ,  植谷庆裕 ,  藤田茂 ,  喜井敬介 ,  西川俊 ,  别所信次

IPC: H01M2/16 ,  B32B5/18 ,  C08F218/04 ,  C08F220/10 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M2/1653 ,  C08F220/26 ,  H01M2/0222 ,  H01M2/145 ,  H01M2/1673 ,  H01M10/052 ,  Y10T29/49115 ,  Y10T428/249991

Abstract: 根据本发明，提供一种用于电池用隔离物的担载反应性聚合物的多孔质薄膜，其将反应性聚合物担载在基材多孔质薄膜上而成，所述反应性聚合物是使在分子中具有选自3－氧杂环丁烷基和环氧基的至少1种的反应性基团的交联性聚合物与单羧酸反应，使其一部分交联而成的。进而，根据本发明，提供一种电池的制造方法，其包含在上述担载反应性聚合物的多孔质薄膜上层压电极，得到担载电极/反应性聚合物的多孔质薄膜层压体，将该担载电极/反应性聚合物的多孔质薄膜层压体装入电池容器内，然后在上述电池容器内注入含有阳离子聚合催化剂的电解液，在至少多孔质薄膜与电极的界面附近，上述反应性聚合物的至少一部分在电解液中膨润，或者溶出到电解液中，进行阳离子聚合，从而使多孔质薄膜与电极粘接。

公开(公告)号：CN100539254C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200680002117.7

申请日：2006-01-10

Applicant: 日东电工株式会社 ,  新时代技研株式会社

Inventor： 市川智昭 ,  植谷庆裕 ,  藤田茂 ,  喜井敬介 ,  西川俊 ,  别所信次

IPC: H01M2/16 ,  B32B5/18 ,  C08F218/04 ,  C08F220/10 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M2/1653 ,  C08F220/26 ,  H01M2/0222 ,  H01M2/145 ,  H01M2/1673 ,  H01M10/052 ,  Y10T29/49115 ,  Y10T428/249991

Abstract: 根据本发明，提供一种用于电池用隔离物的担载反应性聚合物的多孔质薄膜，其将反应性聚合物担载在基材多孔质薄膜上而成，所述反应性聚合物是使在分子中具有选自3-氧杂环丁烷基和环氧基的至少1种的反应性基团的交联性聚合物与单羧酸反应，使其一部分交联而成的。进而，根据本发明，提供一种电池的制造方法，其包含在上述担载反应性聚合物的多孔质薄膜上层压电极，得到担载电极/反应性聚合物的多孔质薄膜层压体，将该担载电极/反应性聚合物的多孔质薄膜层压体装入电池容器内，然后在上述电池容器内注入含有阳离子聚合催化剂的电解液，在至少多孔质薄膜与电极的界面附近，上述反应性聚合物的至少一部分在电解液中膨润，或者溶出到电解液中，进行阳离子聚合，从而使多孔质薄膜与电极粘接。

公开(公告)号：CN117321744A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280035889.X

申请日：2022-03-08

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三田亮太 ,  市川智昭 ,  大木场祐一

IPC: H01L21/52

Abstract: 本发明的导电性片材包含粘结剂树脂和导电性颗粒，且其在70℃下的粘度为10kPa·s以上且10000kPa·s以下，其在70℃下的断裂伸长率为110％以上。

公开(公告)号：CN114823596A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210041911.3

申请日：2022-01-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 佐藤麻由 ,  市川智昭 ,  三田亮太

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/67 ,  C09J169/00 ,  C09J11/04

Abstract: 本发明涉及半导体装置、以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备半导体芯片安装工序，其中，将多个半导体芯片依次利用第1按压构件进行按压，从而分别粘接于基板所具备的多个搭载区域，前述粘接以在各个前述多个半导体芯片与各个前述多个搭载区域之间分别夹有粘接片的状态实施，各个前述粘接片包含可通过以400℃以下的温度进行加热而烧结的烧结性金属颗粒，前述第1按压构件被加热至前述烧结性金属颗粒可烧结的温度。

公开(公告)号：CN113831865A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202110586920.6

申请日：2021-05-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 小岛丽奈 ,  市川智昭

IPC: C09J133/04 ,  C09J161/06 ,  C09J163/04 ,  C09J163/02 ,  C09J9/02 ,  C09J11/06 ,  C09J7/30 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供热固性片及切割芯片接合薄膜。本发明的热固性片为包含热固性树脂、热塑性树脂和导电性颗粒的热固性片，前述导电性颗粒包含平均粒径D50为0.01μm以上且10μm以下、并且截面的圆形度为0.7以上的银颗粒，所述热固性片在100℃下的粘度为20kPa·s以上且3000kPa·s以下。

公开(公告)号：CN112041973A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201980028581.0

申请日：2019-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三田亮太 ,  市川智昭

IPC: H01L21/52 ,  C09J7/10 ,  C09J7/30 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301

Abstract: 本制造方法包括如下的工序：例如，由切割带(T1)上的半导体晶圆(W)形成包含多个半导体芯片(11)的半导体晶圆分割体(10)的工序；相对于切割带(T1)上的半导体晶圆分割体(10)，粘贴烧结接合用片(20)的工序；例如，从切割带(T1)上拾取伴有源自烧结接合用片(20)的烧结接合用材料层(21)的半导体芯片(11)的工序；将带有烧结接合用材料层的半导体芯片(11)借助该烧结接合用材料层(21)而临时固定于基板的工序；以及由夹设在临时固定的半导体芯片(11)与基板之间的烧结接合用材料层(21)，历经加热过程而形成烧结层，将该半导体芯片(11)接合于基板的工序。这种半导体装置制造方法适合于在降低烧结接合用材料的损耗的同时，高效地对各半导体芯片进行烧结接合用材料的供给。

公开(公告)号：CN111690337A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010169966.3

申请日：2020-03-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三田亮太 ,  市川智昭

IPC: C09J7/30 ,  C09J9/02 ,  C09J169/00 ,  C09J11/06 ,  H01L23/00 ,  H01L23/488

Abstract: 提供适于作业效率良好地制作、且适于在经过半导体芯片的烧结接合的半导体装置制造过程中的烧结工艺中实现良好的作业效率的、烧结接合用片及带基材的烧结接合用片。本发明的烧结接合用片(10)包含含有导电性金属的烧结性颗粒及粘结剂成分、且利用SAICAS法测定的23℃下的剪切强度为2～40MPa。作为本发明的带基材的烧结接合用片的片体(X)具有包含基材(B)和烧结接合用片(10)的层叠结构。

公开(公告)号：CN108886011A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780018295.7

申请日：2017-03-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 増田将太郎 ,  市川智昭 ,  前野洋平 ,  畠山義治

IPC: H01L21/677 ,  B65G49/07

Abstract: 本发明提供一种夹持力较高、难以污染被加工物(被输送物)且耐热性优异的输送固定夹具。本发明的输送固定夹具具有第1基材、碳纳米管集合体以及配置在该第1基材与该碳纳米管集合体之间的粘接剂层，该第1基材和该碳纳米管集合体借助该粘接剂层相接合，该粘接剂层的线膨胀系数与该第1基材的线膨胀系数之比(粘接剂层/基材)为0.7～1.8。

公开(公告)号：CN102993638B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210337024.7

申请日：2012-09-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 岩重朝仁 ,  市川智昭 ,  杉本直哉

IPC: C08L63/00 ,  C08L61/06 ,  C08L23/06 ,  C08K13/02 ,  C08K3/36 ,  C08K5/09 ,  C08K5/06 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: C09D163/00 ,  C08G59/621 ,  C08K3/013 ,  C08K5/05 ,  C08K5/06 ,  C08K5/09 ,  C08K5/101 ,  C08K5/5425 ,  C08L23/26 ,  C08L63/00 ,  C08L63/04 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3128 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体封装用环氧树脂组合物及利用其的半导体装置。本发明涉及一种半导体封装用环氧树脂组合物，其包含如下成分(A)至(E)，其中成分(D)的含量为全部环氧树脂组合物的0.1至1.5重量%：(A)环氧树脂；(B)酚醛树脂；(C)无机填料；(D)由下式(1)表示的化合物，其中R1表示羟基或烷氧基，R2表示氢原子或单价烃基，并且n为1至7的整数；以及(E)包含如下(α)和(β)中至少一种的脱模剂：(α)数均分子量为550至800的线性饱和羧酸，和(β)氧化聚乙烯蜡：

公开(公告)号：CN101906236B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201010198300.7

申请日：2010-06-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 秋月伸也 ,  石坂刚 ,  田渊康子 ,  市川智昭

IPC: C08L63/00 ,  C08K13/02 ,  C08K5/09 ,  C08G59/68 ,  C08G59/22 ,  C08G59/24 ,  H01L23/29

CPC classification number: C08G59/245 ,  C08G59/5073 ,  C08G59/621 ,  C08G59/686 ,  C08L63/00 ,  C08L71/00 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L2924/0002 ,  C08L2666/22 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体封装用环氧树脂组合物以及使用所述组合物的半导体装置，所述组合物包括如下成分(A)至(E)：(A)双官能环氧树脂，(B)固化剂，(C)以式(1)表示的咪唑化合物，其中R1和R2各自独立地表示烷基或羟烷基，且其中R1和R2中的至少一个表示羟烷基，R3表示烷基或芳基，(D)具有550至800的数均分子量的直链饱和羧酸，和(E)无机填料。