公开(公告)号：CN116153836A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211427784.7

申请日：2022-11-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三田亮太 ,  佐藤麻由

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有热基材层和重叠于该基材层的粘合剂层的切割带、以及重叠于该切割带的前述粘合剂层的芯片接合片，前述芯片接合片包含导电性金属颗粒，前述芯片接合片和前述粘合剂层均分别含有含极性基团的化合物，前述含极性基团的化合物为在分子中含有1个以上羟基或多个醚键的至少一者的化合物，前述芯片接合片与前述粘合剂层之间的剥离力大于0.05N/50mm。

公开(公告)号：CN114823596A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210041911.3

申请日：2022-01-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 佐藤麻由 ,  市川智昭 ,  三田亮太

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/67 ,  C09J169/00 ,  C09J11/04

Abstract: 本发明涉及半导体装置、以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备半导体芯片安装工序，其中，将多个半导体芯片依次利用第1按压构件进行按压，从而分别粘接于基板所具备的多个搭载区域，前述粘接以在各个前述多个半导体芯片与各个前述多个搭载区域之间分别夹有粘接片的状态实施，各个前述粘接片包含可通过以400℃以下的温度进行加热而烧结的烧结性金属颗粒，前述第1按压构件被加热至前述烧结性金属颗粒可烧结的温度。