公开(公告)号：CN104756289A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380055994.0

申请日：2013-08-27

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 山本祐義 ,  祢宜教之 ,  永田辰夫 ,  森口晃治 ,  米村光治 ,  掛下知行 ,  寺井智之 ,  福田隆

IPC: H01M4/38 ,  C22C9/02

Abstract: 提供可以改善以锂离子二次电池为代表的非水电解质二次电池的单位体积的容量和充放电循环特性的负极活性物质材料。本实施方式的负极活性物质材料含有合金相。合金相在释放金属离子时或吸收金属离子时发生热弹性型无扩散相变。本实施方式的负极活性物质材料可以用于非水电解质二次电池。热弹性型无扩散相变的含义为所谓的热弹性型马氏体相变。

公开(公告)号：CN109155404A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780030225.3

申请日：2017-05-18

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 山本祐義 ,  永田辰夫 ,  森口晃治

IPC: H01M4/38 ,  B22F1/00 ,  C22C9/02

Abstract: 本发明提供一种用于非水电解质二次电池且能够改善单位体积的容量和充放电循环特性的负极活性物质材料。本实施方式的负极活性物质材料包含合金颗粒，所述合金颗粒具有如下化学组成：以at％计含有Sn：13.0～24.5％和Si：3.0～15.0％，余量为Cu和杂质。合金颗粒含有如下相：在X射线衍射曲线中，作为具有最大衍射积分强度的衍射线的最强衍射线的峰在衍射角2θ的42.0～44.0度的范围出现。合金颗粒的最强衍射线的半值宽度为0.15～2.5度。

公开(公告)号：CN103210127B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180054125.7

申请日：2011-11-04

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  森口晃治 ,  冈田信宏 ,  旦野克典 ,  大黑宽典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/00

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B15/10 ,  C30B15/30 ,  C30B15/36 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种n型SiC单晶的制造方法，其能够抑制所制造的多个n型SiC单晶锭间的氮浓度的偏差。本实施方式的n型SiC单晶的制造方法包括：准备具备腔室(1)的制造装置(100)的工序，所述腔室(1)具有配置坩埚(7)的区域；将配置坩埚(7)的区域加热，并且将腔室(1)内的气体真空排气的工序；在真空排气后，将含有稀有气体和氮气的混合气体填充到腔室(1)内的工序；利用加热使配置于区域的坩埚(7)中容纳的原料熔融，生成含有硅和碳的SiC熔液(8)的工序；以及，在混合气体气氛下，将SiC晶种浸渍于SiC熔液，在SiC晶种上培养n型SiC单晶的工序。

公开(公告)号：CN104662211A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380046191.9

申请日：2013-08-30

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  森口晃治 ,  大黑宽典 ,  加渡干尚 ,  坂元秀光

IPC: C30B17/00 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B19/10 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B19/067 ,  C30B19/068 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36

Abstract: 制造装置(10)用于利用溶液生长法制造单晶。制造装置(10)包括晶种轴(28)、坩埚(14)、以及驱动源(26)。晶种轴具有安装有晶种(32)的下端面(28S)。坩埚(14)容纳成为单晶的原料的溶液(15)。驱动源(26)使坩埚(14)旋转，并且使坩埚(14)的转速变化。坩埚(14)的内周面含有横切形状为非圆形的流动控制面(382)。该单晶的制造装置能够强烈地搅拌坩埚所容纳的溶液。

公开(公告)号：CN109312426A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780035286.9

申请日：2017-06-06

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 山本祐義 ,  永田辰夫 ,  森口晃治

IPC: C22C9/02 ,  B22D11/00 ,  B22D11/06 ,  H01M4/38 ,  C22C1/02

Abstract: 本发明提供一种用于非水电解质二次电池且能够改善单位体积的容量和充放电循环特性的负极活性物质材料。本实施方式的负极活性物质材料包含合金，所述合金具有如下化学组成：以原子％计含有Sn：10.0～22.5％和Si：10.5～23.0％，余量为Cu和杂质。合金在Cu-Sn的二元系状态图中具有η'相、ε相和Sn相中的至少1种以上的相，合金的微观组织具有网状区域(20)和被网状区域(20)包围的岛状区域(10)。岛状区域(10)的平均尺寸以圆当量直径计为900nm以下。

公开(公告)号：CN104662213B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201380046179.8

申请日：2013-09-02

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  森口晃治 ,  加渡干尚 ,  大黑宽典 ,  坂元秀光

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B9/00 ,  C30B19/068 ,  C30B29/36

Abstract: SiC单晶的制造装置(10)被用于利用溶液生长法制造SiC单晶，该SiC单晶的制造装置(10)包括：晶种轴(22A)，其具有用于安装SiC晶种(32)的下端面(22S)；坩埚(14)，其用于收纳Si－C溶液(15)；搅拌构件(24A)，其被浸渍于Si－C溶液(15)；驱动源(20B、24D)，其使坩埚(14)和搅拌构件(24A)中的任一者相对于另一者相对旋转。搅拌构件(24A)的下端配置为比安装于晶种轴(22A)的下端面(22S)的SiC晶种(32)的下端(32a)低。

公开(公告)号：CN104471117A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380035985.5

申请日：2013-07-10

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 冈田信宏 ,  龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  森口晃治 ,  大黑宽典 ,  加渡幹尚 ,  坂元秀光

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B15/32 ,  C30B9/06 ,  C30B15/30 ,  C30B19/068 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032

Abstract: SiC单晶体的制造装置(10)用于溶液生长法。SiC单晶体的制造装置(10)包括晶种轴(28)和坩埚(14)。晶种轴(28)具有供SiC晶种(32)安装的下端面(28S)。坩埚(14)用于收纳Si－C溶液(15)。晶种轴(28)包括筒部(28A)、底部(28B)和低导热性构件(28C)。底部(28B)配置于筒部(28A)的下端，且具有下端面(28S)。低导热性构件(28C)配置于底部(28B)的上表面，且具有比底部(28B)的热传导率低的热传导率。利用该制造装置，能够使SiC晶种的结晶生长面内的温度不易出现偏差。

公开(公告)号：CN103282559A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201180062930.4

申请日：2011-12-26

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 冈田信宏 ,  龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  森口晃治 ,  大黑宽典 ,  铃木宽 ,  石井伴和 ,  坂元秀光 ,  加渡干尚 ,  河合洋一郎

IPC: C30B29/36 ,  C30B15/00

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B15/14 ,  C30B15/30 ,  C30B15/305 ,  C30B17/00 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1068

Abstract: 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将坩埚侧壁的厚度设为T（mm），将坩埚的内半径设为R（mm）时，控制装置控制感应加热装置，以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式（1）。（D1－T）×D2／R＞1（1）在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义。D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）在此，σc是侧壁的导电率（S／m），σs是SiC溶液的导电率（S／m）。μc是侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。

公开(公告)号：CN107075726A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056466.6

申请日：2015-10-13

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  关和明 ,  岸田豊 ,  森口晃治 ,  海藤宏志 ,  大黑宽典 ,  土井雅喜

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B19/062 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B19/08 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供即使在长时间地进行晶体生长的情况下也能够减少Si－C溶液的温度偏差的、SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法包括以下工序：准备工序，在该准备工序中，准备制造装置(100)，该制造装置(100)包括容纳有Si－C溶液的原料的坩埚(7)、在下端安装有晶种(9)的晶种轴(41)、以及在中央具有供晶种轴(41)穿过的通孔(60A)且能够配置于坩埚(7)内的中盖(60)；生成工序，在该生成工序中，对坩埚(7)内的原料进行加热而生成Si－C溶液(8)；生长工序，在该生长工序中，使晶种(9)与Si－C溶液(8)相接触，从而在晶种(9)上制造SiC单晶；以及中盖调整工序，在生长工序中实施该中盖调整工序，使中盖(60)和坩埚(7)中的任一者相对于另一者在高度方向上相对移动，从而将中盖(60)与Si－C溶液(8)之间的高度方向距离的变动幅度调整到第1基准范围内。

公开(公告)号：CN107075723A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580048515.1

申请日：2015-08-31

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  关和明 ,  岸田豊 ,  森口晃治 ,  海藤宏志

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B29/36

Abstract: 本实施方式的制造方法具备生成工序(S1)、第1生长工序(S2)、恢复工序(S3)和第2生长工序(S4)。生成工序(S1)中，在坩埚内生成含有Si、Al和C的Si‑C溶液。第1生长工序(S2)中，将籽晶轴下降，使安装于籽晶轴的下端的SiC晶种与Si‑C溶液接触后，使Al掺杂的p型SiC单晶在SiC晶种上生长。恢复工序(S3)中，在第1生长工序(S2)后，提高Si‑C溶液的Al浓度。第2生长工序(S4)中，在恢复工序(S3)后，使Al掺杂的p型SiC单晶继续生长。