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公开(公告)号：CN106958039A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710016842.X
申请日：2017-01-11
Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法及制造装置。提供一种能维持凹形状的生长面、不使夹杂物产生地使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触，从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，晶种保持轴具有轴部和在该轴部的下端的晶种保持部，轴部的直径D1相对于晶种保持部的直径D2的比D1/D2为0.28以下。
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公开(公告)号：CN106167916A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610325787.8
申请日：2016-05-17
Abstract: 本发明涉及SiC的制造方法。提供与以往相比可抑制杂晶产生的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶制造方法，其中坩埚具有与Si‑C溶液液面相同高度的水平方向的厚度Lu和与坩埚底部内壁相同高度的水平方向的厚度Ld，Ld/Lu为2.00～4.21；在厚度Lu与厚度Ld之间坩埚水平方向的厚度从厚度Lu向厚度Ld单调增加；坩埚壁厚为1mm以上；坩埚底部铅直方向的厚度Lb为1mm以上15mm以下；坩埚底部外壁具有面积为100mm2以上的平坦部；使Si‑C溶液距坩埚底部内壁的深度为30mm以上；该方法包括利用配置于坩埚周围的高频线圈加热和电磁搅拌Si‑C溶液。
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公开(公告)号：CN107354510A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710319173.3
申请日：2017-05-09
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/08 , C30B19/12 , C30B29/36 , C30B11/00
Abstract: 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供一种抑制4H以外的多晶型物的产生，使4H-SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，所述晶种基板为4H-SiC，该制造方法包括：将所述晶种基板的(000-1)面作为生长面，将所述Si-C溶液的表面中所述晶种基板的生长面接触的区域的中央部的温度设为1900℃以上，和将所述中央部和在铅直方向下方距所述中央部10mm的位置之间的温度梯度ΔTc、与所述中央部和在水平方向距所述中央部10mm的位置之间的温度梯度ΔTa之比ΔTc/ΔTa设为1.7以上。
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公开(公告)号：CN107075726A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056466.6
申请日：2015-10-13
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B19/062 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/08 , C30B29/36
Abstract: 本发明提供即使在长时间地进行晶体生长的情况下也能够减少Si－C溶液的温度偏差的、SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法包括以下工序：准备工序，在该准备工序中，准备制造装置(100)，该制造装置(100)包括容纳有Si－C溶液的原料的坩埚(7)、在下端安装有晶种(9)的晶种轴(41)、以及在中央具有供晶种轴(41)穿过的通孔(60A)且能够配置于坩埚(7)内的中盖(60)；生成工序，在该生成工序中，对坩埚(7)内的原料进行加热而生成Si－C溶液(8)；生长工序，在该生长工序中，使晶种(9)与Si－C溶液(8)相接触，从而在晶种(9)上制造SiC单晶；以及中盖调整工序，在生长工序中实施该中盖调整工序，使中盖(60)和坩埚(7)中的任一者相对于另一者在高度方向上相对移动，从而将中盖(60)与Si－C溶液(8)之间的高度方向距离的变动幅度调整到第1基准范围内。
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公开(公告)号：CN107208311A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680009053.7
申请日：2016-02-18
Applicant: 新日铁住金株式会社
Abstract: 本发明针对在籽晶与生长SiC单晶的界面附近发生的穿透螺型位错的增大，提供一种通过提高伴随SiC单晶的生长而发生的位错密度的减少率，从而制造从生长的初期阶段开始穿透螺型位错密度就较小的SiC单晶块的方法。本发明涉及一种碳化硅单晶块的制造方法，其是在由碳化硅单晶形成的籽晶的生长面上使用升华再结晶法使碳化硅单晶生长而制造碳化硅单晶块的方法，其中，预先在籽晶的生长面上形成台阶的高度为10μm～1mm、平台的宽度为200μm～1mm的台阶聚束，然后使用升华再结晶法使碳化硅单晶在所述籽晶的生长面上生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106103815A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013867.3
申请日：2015-03-12
Applicant: 新日铁住金株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C23C14/0635 , C23C16/325 , C30B9/12 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/12 , C30B23/025 , C30B25/20
Abstract: 利用溶液生长法制造SiC单晶时，维持贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率，提高贯通刃状位错向基底面位错的转化率。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法具备：将坩埚(14)内的原料加热熔融，生成SiC溶液(15)的工序；和使SiC籽晶(24)的晶体生长面(24A)与SiC溶液接触，使SiC单晶在晶体生长面上生长的工序。SiC籽晶的晶体结构为4H多晶型。晶体生长面的偏离角为1°以上且为4°以下。使SiC单晶生长时的SiC溶液的温度为1650℃以上且为1850℃以下。使SiC单晶生长时，SiC溶液中，SiC籽晶的正下方的温度梯度大于0℃/cm且为19℃/cm以下。
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公开(公告)号：CN107075723A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580048515.1
申请日：2015-08-31
Applicant: 新日铁住金株式会社
Abstract: 本实施方式的制造方法具备生成工序(S1)、第1生长工序(S2)、恢复工序(S3)和第2生长工序(S4)。生成工序(S1)中，在坩埚内生成含有Si、Al和C的Si‑C溶液。第1生长工序(S2)中，将籽晶轴下降，使安装于籽晶轴的下端的SiC晶种与Si‑C溶液接触后，使Al掺杂的p型SiC单晶在SiC晶种上生长。恢复工序(S3)中，在第1生长工序(S2)后，提高Si‑C溶液的Al浓度。第2生长工序(S4)中，在恢复工序(S3)后，使Al掺杂的p型SiC单晶继续生长。
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公开(公告)号：CN107532329A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680027101.5
申请日：2016-03-16
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B19/10 , H01L21/208
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/04 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02625 , H01L21/02628
Abstract: 提供能够抑制SiC多晶产生的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法具备输出功率升高工序(S1)、接触工序(S2)和生长工序(S4)。输出功率升高工序(S1)中，将感应加热装置(3)的高频输出功率升高到晶体生长时的高频输出功率。接触工序(S2)中，使SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触。接触工序(S2)中的感应加热装置(3)的高频输出功率大于晶体生长时的高频输出功率的80％。接触工序(S2)中的Si‑C溶液(7)的温度低于晶体生长温度。生长工序(S4)中，在晶体生长温度下使SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN107532328B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201680027058.2
申请日：2016-03-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法容易使所希望的多晶型的SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN107532328A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680027058.2
申请日：2016-03-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/04 , C30B19/08 , C30B23/025 , C30B25/20 , C30B29/36 , C30B29/68
Abstract: 本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法容易使所希望的多晶型的SiC单晶生长。
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