公开(公告)号：CN107208311A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680009053.7

申请日：2016-02-18

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 谷小桃 ,  矢野孝幸 ,  藤本辰雄 ,  柘植弘志 ,  龟井一人 ,  楠一彦 ,  关和明

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明针对在籽晶与生长SiC单晶的界面附近发生的穿透螺型位错的增大，提供一种通过提高伴随SiC单晶的生长而发生的位错密度的减少率，从而制造从生长的初期阶段开始穿透螺型位错密度就较小的SiC单晶块的方法。本发明涉及一种碳化硅单晶块的制造方法，其是在由碳化硅单晶形成的籽晶的生长面上使用升华再结晶法使碳化硅单晶生长而制造碳化硅单晶块的方法，其中，预先在籽晶的生长面上形成台阶的高度为10μm～1mm、平台的宽度为200μm～1mm的台阶聚束，然后使用升华再结晶法使碳化硅单晶在所述籽晶的生长面上生长。

公开(公告)号：CN102026748B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200980117793.2

申请日：2009-05-19

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  韩国宝威技术有限公司

Inventor： 丸木保雄 ,  山条悟 ,  岩崎润哉 ,  矢野孝幸 ,  西原隆 ,  白神孝之 ,  全在荣 ,  许志行 ,  朴圭喆

IPC: B22D11/16 ,  B22D11/08

CPC classification number: B22D11/08

Abstract: 一种辊间隔测量装置，具备传感器装置，该传感器装置测量在之间夹着连续铸造机的铸片通路而对置配置的至少一对辊之间的间隔。上述传感器装置具备：可动式的传感器头，该可动式的传感器头具有筒状的主体部、和呈圆锥状连接设置在该主体部的上端、并且其顶部朝向上述各辊中的上侧的辊以凸状弯曲的头部；以及筒状的传感器外壳，收纳该传感器头。当上述头部的下端进入到上述传感器外壳内时，在这些头部的下端的外周面与上述传感器外壳的上端的内周面之间形成有作为收容异物的空间的收容部，该收容部的底部在俯视的情况下呈环状平面。