公开(公告)号：CN106795648A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580054987.8

申请日：2015-10-07

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 岸田豊 ,  龟井一人 ,  大黑宽典 ,  土井雅喜

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10 ,  C30B30/04 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B15/14 ,  C30B9/06 ,  C30B15/20 ,  C30B15/30 ,  C30B15/305 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B19/067 ,  C30B19/08 ,  C30B19/10 ,  C30B29/36 ,  C30B30/04

Abstract: 本发明提供能够使台阶流动的方向和SiC溶液在晶体生长界面的附近流动的方向为相反方向的SiC单晶的制造装置和SiC单晶的制造方法。坩埚由石墨形成，用于容纳SiC溶液。第1感应加热线圈和第2感应加热线圈卷绕在坩埚的周围。第1感应加热线圈配置于比SiC溶液的表面靠上方的位置。第2感应加热线圈配置于第1感应加热线圈的下方。电源用于向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流，该第2交变电流具有与第1交变电流相同的频率且向与第1交变电流相反的方向流动。自坩埚所具有的侧壁中的与SiC溶液相接触的部分的、因电源向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流而产生的磁场的强度达到最大的位置到SiC溶液的表面为止的距离满足预定的式子。

公开(公告)号：CN107075725A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056446.9

申请日：2015-10-13

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  岸田豊 ,  楠一彦 ,  大黑宽典 ,  土井雅喜

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B19/062 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B19/067 ,  C30B19/08 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种易于搅拌和加热Si‐C溶液的SiC单晶的制造装置。该SiC单晶的制造装置具备能够容纳Si－C溶液(7)的坩埚(5)、晶种轴(6)、以及感应加热装置(3)。坩埚(5)能够容纳Si－C溶液(7)。坩埚(5)包括筒部(51)和底部(52)。筒部(51)具有外周面(51A)和内周面(51B)。底部(52)配置于筒部(51)的下端。底部(52)形成坩埚(5)的内底面(52B)。能够在晶种轴(6)的下端安装晶种(8)。感应加热装置(3)配置于坩埚(5)的筒部(51)的周围。感应加热装置(3)用于加热坩埚(5)和Si－C溶液(7)。外周面(51A)具有与筒部(51)的周向交叉地延伸的槽(10)。

公开(公告)号：CN107075726A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056466.6

申请日：2015-10-13

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  关和明 ,  岸田豊 ,  森口晃治 ,  海藤宏志 ,  大黑宽典 ,  土井雅喜

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B19/062 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B19/08 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供即使在长时间地进行晶体生长的情况下也能够减少Si－C溶液的温度偏差的、SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法包括以下工序：准备工序，在该准备工序中，准备制造装置(100)，该制造装置(100)包括容纳有Si－C溶液的原料的坩埚(7)、在下端安装有晶种(9)的晶种轴(41)、以及在中央具有供晶种轴(41)穿过的通孔(60A)且能够配置于坩埚(7)内的中盖(60)；生成工序，在该生成工序中，对坩埚(7)内的原料进行加热而生成Si－C溶液(8)；生长工序，在该生长工序中，使晶种(9)与Si－C溶液(8)相接触，从而在晶种(9)上制造SiC单晶；以及中盖调整工序，在生长工序中实施该中盖调整工序，使中盖(60)和坩埚(7)中的任一者相对于另一者在高度方向上相对移动，从而将中盖(60)与Si－C溶液(8)之间的高度方向距离的变动幅度调整到第1基准范围内。

公开(公告)号：CN107075723A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580048515.1

申请日：2015-08-31

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  关和明 ,  岸田豊 ,  森口晃治 ,  海藤宏志

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B29/36

Abstract: 本实施方式的制造方法具备生成工序(S1)、第1生长工序(S2)、恢复工序(S3)和第2生长工序(S4)。生成工序(S1)中，在坩埚内生成含有Si、Al和C的Si‑C溶液。第1生长工序(S2)中，将籽晶轴下降，使安装于籽晶轴的下端的SiC晶种与Si‑C溶液接触后，使Al掺杂的p型SiC单晶在SiC晶种上生长。恢复工序(S3)中，在第1生长工序(S2)后，提高Si‑C溶液的Al浓度。第2生长工序(S4)中，在恢复工序(S3)后，使Al掺杂的p型SiC单晶继续生长。