公开(公告)号：CN1402333A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02118015.6

申请日：2002-04-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 北田秀树 ,  清水纪嘉 ,  大冢信幸 ,  大场隆之

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种提供快速半导体运行的多层互连结构通过采用铜布线而实现，其中铜的电迁移由所提供的通孔塞所阻止，该通孔塞包括一层高熔点金属例如钨。

公开(公告)号：CN1276506C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02118015.6

申请日：2002-04-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 北田秀树 ,  清水纪嘉 ,  大冢信幸 ,  大场隆之

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种提供快速半导体运行的多层互连结构通过采用铜布线而实现，其中铜的电迁移由所提供的通孔塞所阻止，该通孔塞包括一层高熔点金属例如钨。

公开(公告)号：CN1225008C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN02130193.X

申请日：2002-08-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 埃德·A·阿克巴尔 ,  大场隆之

IPC: H01L21/302 ,  C23G5/00

CPC classification number: H01L21/76838 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  Y10S438/906

Abstract: 一种半导体器件制造方法，该方法可均匀地和充分地还原半导体器件金属电极或金属引线(例如铜)上产生的金属氧化物。首先将其上产生铜氧化物的受处理物体放入处理室中，然后用加热器加热到预定温度。接着，用汽化器蒸发储存在储存筒中的羧酸。接着，将蒸发的羧酸和载气一起通过处理气体输送管输送到处理室中，由此将形成在受处理物体上的铜氧化物还原成金属铜。结果，可以均匀还原金属氧化物，而不会在电极或引线的表面上造成凹凸不平。另外，在这种情况下，二氧化碳和水二者均以气态形式产生。这样便可防止杂质停留在铜的表面上。

公开(公告)号：CN100411116C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN03825630.4

申请日：2003-01-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 肖石琴 ,  大场隆之

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

Abstract: 一种把电介质膜形成在基板表面上的电介质膜形成方法，包含在所述基板表面上分多次形成高K电介质膜的工序，在所述分多次进行的高K电介质膜形成工序的各个工序中，在以氮气为主的气氛中对所形成的高K电介质膜进行改质的处理工序。

公开(公告)号：CN1714434A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN03825630.4

申请日：2003-01-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 肖石琴 ,  大场隆之

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C14/0641 ,  C23C16/308 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种把电介质膜形成在基板表面上的电介质膜形成方法，包含在所述基板表面上分多次形成高K电介质膜的工序，在所述分多次进行的高K电介质膜形成工序的各个工序中，在以氮气为主的气氛中对所形成的高K电介质膜进行改质的处理工序。

公开(公告)号：CN1433053A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN02130193.X

申请日：2002-08-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 埃德·A·阿克巴尔 ,  大场隆之

IPC: H01L21/302 ,  C23G5/00

CPC classification number: H01L21/76838 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  Y10S438/906

Abstract: 一种半导体器件制造方法，该方法可均匀地和充分地还原半导体器件金属电极或金属引线(例如铜)上产生的金属氧化物。首先将其上产生铜氧化物的受处理物体放入处理室中，然后用加热器加热到预定温度。接着，用汽化器蒸发储存在储存筒中的羧酸。接着，将蒸发的羧酸和载气一起通过处理气体输送管输送到处理室中，由此将形成在受处理物体上的铜氧化物还原成金属铜。结果，可以均匀还原金属氧化物，而不会在电极或引线的表面上造成凹凸不平。另外，在这种情况下，二氧化碳和水二者均以气态形式产生。这样便可防止杂质停留在铜的表面上。