公开(公告)号：CN1433053A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN02130193.X

申请日：2002-08-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 埃德·A·阿克巴尔 ,  大场隆之

IPC: H01L21/302 ,  C23G5/00

CPC classification number: H01L21/76838 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  Y10S438/906

Abstract: 一种半导体器件制造方法，该方法可均匀地和充分地还原半导体器件金属电极或金属引线(例如铜)上产生的金属氧化物。首先将其上产生铜氧化物的受处理物体放入处理室中，然后用加热器加热到预定温度。接着，用汽化器蒸发储存在储存筒中的羧酸。接着，将蒸发的羧酸和载气一起通过处理气体输送管输送到处理室中，由此将形成在受处理物体上的铜氧化物还原成金属铜。结果，可以均匀还原金属氧化物，而不会在电极或引线的表面上造成凹凸不平。另外，在这种情况下，二氧化碳和水二者均以气态形式产生。这样便可防止杂质停留在铜的表面上。

公开(公告)号：CN1225008C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN02130193.X

申请日：2002-08-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 埃德·A·阿克巴尔 ,  大场隆之

IPC: H01L21/302 ,  C23G5/00

CPC classification number: H01L21/76838 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  Y10S438/906

Abstract: 一种半导体器件制造方法，该方法可均匀地和充分地还原半导体器件金属电极或金属引线(例如铜)上产生的金属氧化物。首先将其上产生铜氧化物的受处理物体放入处理室中，然后用加热器加热到预定温度。接着，用汽化器蒸发储存在储存筒中的羧酸。接着，将蒸发的羧酸和载气一起通过处理气体输送管输送到处理室中，由此将形成在受处理物体上的铜氧化物还原成金属铜。结果，可以均匀还原金属氧化物，而不会在电极或引线的表面上造成凹凸不平。另外，在这种情况下，二氧化碳和水二者均以气态形式产生。这样便可防止杂质停留在铜的表面上。