公开(公告)号：CN1402333A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02118015.6

申请日：2002-04-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 北田秀树 ,  清水纪嘉 ,  大冢信幸 ,  大场隆之

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种提供快速半导体运行的多层互连结构通过采用铜布线而实现，其中铜的电迁移由所提供的通孔塞所阻止，该通孔塞包括一层高熔点金属例如钨。

公开(公告)号：CN1276506C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02118015.6

申请日：2002-04-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 北田秀树 ,  清水纪嘉 ,  大冢信幸 ,  大场隆之

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种提供快速半导体运行的多层互连结构通过采用铜布线而实现，其中铜的电迁移由所提供的通孔塞所阻止，该通孔塞包括一层高熔点金属例如钨。