公开(公告)号：CN100411116C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN03825630.4

申请日：2003-01-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 肖石琴 ,  大场隆之

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

Abstract: 一种把电介质膜形成在基板表面上的电介质膜形成方法，包含在所述基板表面上分多次形成高K电介质膜的工序，在所述分多次进行的高K电介质膜形成工序的各个工序中，在以氮气为主的气氛中对所形成的高K电介质膜进行改质的处理工序。

公开(公告)号：CN1714434A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN03825630.4

申请日：2003-01-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 肖石琴 ,  大场隆之

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C14/0641 ,  C23C16/308 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种把电介质膜形成在基板表面上的电介质膜形成方法，包含在所述基板表面上分多次形成高K电介质膜的工序，在所述分多次进行的高K电介质膜形成工序的各个工序中，在以氮气为主的气氛中对所形成的高K电介质膜进行改质的处理工序。