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公开(公告)号：CN102076626A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980125544.8
申请日：2009-06-25
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 宇部兴产株式会社 , 宇部日东化成株式会社
CPC classification number: H01J5/08 , C03C17/23 , C03C17/25 , C03C17/36 , C03C17/3678 , C03C2217/213 , C03C2218/11 , G02F1/1333 , G02F2001/133337 , H01J2211/34 , H01J2329/88 , H01L31/0392 , Y02E10/50
Abstract: 一种电子装置，包括含有钠的玻璃基体(10)和在玻璃基体(10)上设置的由平坦化涂膜形成的钠扩散防止膜(11)。在钠扩散防止层(11)上形成有电子元件(12)。
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公开(公告)号：CN1953953B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200580015265.8
申请日：2005-03-15
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C07C49/92 , C23C16/18 , H01L21/285 , C07F1/08 , C07F3/00 , C07F3/02 , C07F3/06 , C07F5/00 , C07F5/06 , C07F7/00 , C07F7/22 , C07F7/24 , C07F7/28 , C07F9/00 , C07F11/00 , C07F13/00 , C07F15/04 , C07F15/06
CPC classification number: C23C16/40 , C07C45/455 , C07C45/77 , C07C49/92 , C23C16/18 , C07C49/175
Abstract: 提供能够适合用于通过CVD法制造含金属薄膜的金属络合物和用以制造含金属薄膜的方法。包含具有烷氧基烷基甲基的β-酮酸基配体的金属络合物，和使用所述金属络合物通过CVD法制造含金属薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN101681817A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017388.9
申请日：2008-05-02
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 罗姆股份有限公司 , 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/511 , H01L21/336 , H01L21/365 , H01L29/786 , H01L31/04 , H01L33/00
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/18 , C23C16/45565 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L29/7869 , H01L31/1804 , H01L31/1828 , H01L31/184 , H01L31/1884 , H01L31/206 , H01L33/0066 , H01L33/0087 , H01L33/02 , H01L2924/0002 , Y02E10/543 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 本发明通过向由微波激发的低电子温度高密度等离子体中供给有机金属系材料气体，在作为成膜对象物的基板上形成化合物的薄膜。此时，有机金属系材料气体的供给系统利用有机金属系材料气体的蒸气压和温度的关系进行温度控制。
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公开(公告)号：CN1953953A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580015265.8
申请日：2005-03-15
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C07C49/92 , C23C16/18 , H01L21/285 , C07F1/08 , C07F3/00 , C07F3/02 , C07F3/06 , C07F5/00 , C07F5/06 , C07F7/00 , C07F7/22 , C07F7/24 , C07F7/28 , C07F9/00 , C07F11/00 , C07F13/00 , C07F15/04 , C07F15/06
CPC classification number: C23C16/40 , C07C45/455 , C07C45/77 , C07C49/92 , C23C16/18 , C07C49/175
Abstract: [问题]提供能够适合用于通过CVD法制造含金属薄膜的金属络合物和用以制造含金属薄膜的方法。[解决问题的方法]包含具有烷氧基烷基甲基的β－酮酸基配体的金属络合物，和使用所述金属络合物通过CVD法制造含金属薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN101802987A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106579.2
申请日：2008-09-05
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 宇部兴产株式会社 , 宇部日东化成株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L29/786
CPC classification number: H05K3/048 , H01L21/0331 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H05K1/0306 , H05K3/107 , H05K2201/0166 , H05K2201/0175
Abstract: 电子器件的制造方法，在基板上形成的透明树脂膜中，选择性地埋设用于形成栅极的金属膜，在栅极部分通过溅射将金属膜直接形成在基板上，而在栅极部分以外的部分则通过溅射将金属膜形成在绝缘性涂布膜上。随着绝缘性涂布膜被蚀刻去除，绝缘性涂布膜上的金属膜通过化学剥离被去除。本发明提供一种在具有超大面积的基板上均匀形成导体层的制造电子器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101779279A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200880103082.5
申请日：2008-08-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社 , 宇部日东化成株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/0212 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/3121 , H01L21/316 , H01L21/76807 , H01L21/76819 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L21/7684 , H01L21/76897 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明使用绝缘性涂布膜形成层间绝缘膜，所述绝缘性涂布膜具有2.5以下的介电常数k，且由通式((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(式中，n＝1～3、x≤1)所表示的一种或二种以上的氧化物构成。利用旋涂涂布得到的绝缘性涂布膜不反映基底的凹凸，是平坦的，而且，经热处理的膜的表面粗糙度以Ra计为1nm以下，以P-V值计为20nm以下。含有绝缘性涂布膜的层间绝缘膜无需CMP工艺，仅通过蚀刻就可以形成布线结构及电极。
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公开(公告)号：CN101681817B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200880017388.9
申请日：2008-05-02
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 罗姆股份有限公司 , 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/511 , H01L21/336 , H01L21/365 , H01L29/786 , H01L31/04 , H01L33/00
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/18 , C23C16/45565 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L29/7869 , H01L31/1804 , H01L31/1828 , H01L31/184 , H01L31/1884 , H01L31/206 , H01L33/0066 , H01L33/0087 , H01L33/02 , H01L2924/0002 , Y02E10/543 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 本发明通过向由微波激发的低电子温度高密度等离子体中供给有机金属系材料气体，在作为成膜对象物的基板上形成化合物的薄膜。此时，有机金属系材料气体的供给系统利用有机金属系材料气体的蒸气压和温度的关系进行温度控制。
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公开(公告)号：CN101785095B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880103633.8
申请日：2008-08-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社 , 宇部日东化成株式会社
IPC: H01L21/76 , H01L21/312 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/02255 , H01L21/02118 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/3121 , H01L21/316 , H01L21/76807 , H01L21/76828 , H01L21/76835 , H01L21/76897 , H01L21/823425 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L23/53295 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/32145 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。在包含浅沟槽元件分离区域、多层结构的层间绝缘膜的半导体器件的制造工序中，需要反复使用CMP，然而由于CMP本身成本高，因此CMP的反复使用导致制造成本上升。作为浅沟槽(ST)元件分离区域中所用的绝缘膜和/或最下层的层间绝缘膜，使用可以利用旋转涂布来涂布的绝缘性涂布膜。该绝缘性涂布膜具有以((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(其中，n＝1～3、0≤x≤1.0)表示的组成，通过选择热处理条件，形成比介电常数k不同的膜。另外，通过将绝缘性涂布膜完全地改性为SiO2膜，可以形成STI元件分离区域，通过设为不完全改性的状态，可以形成比介电常数k小的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN101802987B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200880106579.2
申请日：2008-09-05
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 宇部兴产株式会社 , 宇部日东化成株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L29/786
CPC classification number: H05K3/048 , H01L21/0331 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H05K1/0306 , H05K3/107 , H05K2201/0166 , H05K2201/0175
Abstract: 电子器件的制造方法，在基板上形成的透明树脂膜中，选择性地埋设用于形成栅极的金属膜，在栅极部分通过溅射将金属膜直接形成在基板上，而在栅极部分以外的部分则通过溅射将金属膜形成在绝缘性涂布膜上。随着绝缘性涂布膜被蚀刻去除，绝缘性涂布膜上的金属膜通过化学剥离被去除。本发明提供一种在具有超大面积的基板上均匀形成导体层的制造电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN101563782B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200780047515.5
申请日：2007-12-19
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 日本瑞翁株式会社 , 宇部日东化成株式会社 , 宇部兴产株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/1292 , H01L29/78639
Abstract: 本发明涉及具有透明性和平坦性优异的栅极绝缘膜的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。由RxMOy表示的氧化物形成的透明绝缘体膜131作为设置在栅极和导电体层之间的栅极绝缘膜。此外，所述透明绝缘体膜131是有下述涂布剂形成，所述涂布剂由将RxMXm-x表示的化合物进行水解缩合反应而得到的缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中而得到的混合液中的一种制成，或是将两种以上的上述混合液进行混合而得到。
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