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公开(公告)号：CN1953953A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580015265.8
申请日：2005-03-15
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C07C49/92 , C23C16/18 , H01L21/285 , C07F1/08 , C07F3/00 , C07F3/02 , C07F3/06 , C07F5/00 , C07F5/06 , C07F7/00 , C07F7/22 , C07F7/24 , C07F7/28 , C07F9/00 , C07F11/00 , C07F13/00 , C07F15/04 , C07F15/06
CPC classification number: C23C16/40 , C07C45/455 , C07C45/77 , C07C49/92 , C23C16/18 , C07C49/175
Abstract: [问题]提供能够适合用于通过CVD法制造含金属薄膜的金属络合物和用以制造含金属薄膜的方法。[解决问题的方法]包含具有烷氧基烷基甲基的β－酮酸基配体的金属络合物，和使用所述金属络合物通过CVD法制造含金属薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN101516818B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200780035318.1
申请日：2007-07-26
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C07C49/92 , C07C45/77 , C07F15/0046 , C23C16/18
Abstract: 本发明的通式(1-1)(式中，X表示通式(1-2)表示的基团(式中，Ra和Rb表示碳原子数为1～5的直链或支链状烷基。)，Y表示通式(1-2)表示的基团或碳原子数为1～8的直链或支链状烷基，Z表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基。L表示具有至少2个双键的不饱和烃化合物)所表示的有机钌络合物、双(乙酰丙酮根)(1，5-己二烯)合钌以及双(乙酰丙酮根)(1，3-戊二烯)合钌具有低熔点，对水分、空气和热的稳定性优异，且适用于CVD法成膜。
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公开(公告)号：CN1953953B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200580015265.8
申请日：2005-03-15
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C07C49/92 , C23C16/18 , H01L21/285 , C07F1/08 , C07F3/00 , C07F3/02 , C07F3/06 , C07F5/00 , C07F5/06 , C07F7/00 , C07F7/22 , C07F7/24 , C07F7/28 , C07F9/00 , C07F11/00 , C07F13/00 , C07F15/04 , C07F15/06
CPC classification number: C23C16/40 , C07C45/455 , C07C45/77 , C07C49/92 , C23C16/18 , C07C49/175
Abstract: 提供能够适合用于通过CVD法制造含金属薄膜的金属络合物和用以制造含金属薄膜的方法。包含具有烷氧基烷基甲基的β-酮酸基配体的金属络合物，和使用所述金属络合物通过CVD法制造含金属薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN103408598A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310302821.6
申请日：2007-07-26
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C07C49/92 , C07C45/77 , C07F15/0046 , C23C16/18
Abstract: 本发明的通式(1-1)(式中，X表示通式(1-2)表示的基团(式中，Ra和Rb表示碳原子数为1～5的直链或支链状烷基。)，Y表示通式(1-2)表示的基团或碳原子数为1～8的直链或支链状烷基，Z表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基。L表示具有至少2个双键的不饱和烃化合物)所表示的有机钌络合物、双(乙酰丙酮根)(1，5-己二烯)合钌以及双(乙酰丙酮根)(1，3-戊二烯)合钌具有低熔点，对水分、空气和热的稳定性优异，且适用于CVD法成膜。
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公开(公告)号：CN100537837C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200580032568.0
申请日：2005-09-27
IPC: C23C16/18 , H01L21/3205 , H01L21/285 , C07F7/18
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/18 , H01L21/76841
Abstract: 本发明提供一种利用CVD法在低温下形成低电阻的含铜膜的方法。在由有机金属原料气体和还原性气体形成的阻挡层上，使用将式(I)′表示的β-二酮基(Z表示H原子或碳原子数1～4的烷基，X表示式(I-I)表示的基团(Ra表示碳原子数1～5的直链或支链的亚烷基，Rb、Rc、Rd相互独立，分别表示碳原子数1～5的直链或支链的烷基)，Y表示式(I-I)表示的基团(RaRb、Rc、Rd与上述定义相同))作为配位基的式(I)(X、Y、Z与上述定义相同)表示的铜配合物，利用CVD法形成含铜膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101516818A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780035318.1
申请日：2007-07-26
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C07C49/92 , C07C45/77 , C07F15/0046 , C23C16/18
Abstract: 本发明的通式(1－1)(式中，X表示通式(1－2)表示的基团(式中，Ra和Rb表示碳原子数为1～5的直链或支链状烷基)。Y表示通式(1－2)表示的基团或碳原子数为1～8的直链或支链状烷基，Z表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基。L表示具有至少2个双键的不饱和烃化合物)所表示的有机钌络合物、双(乙酰丙酮根)(1，5－己二烯)合钌以及双(乙酰丙酮根)(1，3－戊二烯)合钌具有低熔点，对水分、空气和热的稳定性优异，且适用于CVD法成膜。
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公开(公告)号：CN101044261A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580032568.0
申请日：2005-09-27
IPC: C23C16/18 , H01L21/3205 , H01L21/285 , C07F7/18
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/18 , H01L21/76841
Abstract: 本发明提供一种利用CVD法在低温下形成低电阻的含铜膜的方法。在由有机金属原料气体和还原性气体形成的阻挡层上，使用将式(I)′表示的β－二酮基(Z表示H原子或碳原子数1～4的烷基，X表示式(I－I)表示的基团(Ra表示碳原子数1～5的直链或支链的亚烷基，Rb、Rc、Rd相互独立，分别表示碳原子数1～5的直链或支链的烷基)，Y表示式(I－I)表示的基团(RaRb、Rc、Rd与上述定义相同))作为配位基的式(I)(X、Y、Z与上述定义相同)表示的铜配合物，利用CVD法形成含铜膜。
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公开(公告)号：CN1307185C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN03807420.6
申请日：2003-01-31
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C23C16/18 , C07F7/1804
Abstract: 含铜薄膜在工业上可利用具有含甲硅烷基醚键的β-二酮基配体的二价铜络合物作为铜源通过化学气相沉积有利地形成。二价铜络合物的代表性的实例用通式(I)来表示：其中Z是氢或烷基；X是用通式(I-I)表示的基团，其中Ra是亚烷基，Rb、Rc和Rd中的每一个是烷基；Y是烷基或用通式(I-I)表示的基团，其中Ra亚烷基，Rb、Rc和Rd中的每一个是烷基。
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公开(公告)号：CN1642964A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03807420.6
申请日：2003-01-31
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C23C16/18 , C07F7/1804
Abstract: 含铜薄膜在工业上可利用具有含甲硅烷基醚键的β－二酮基配体的二价铜络合物作为铜源通过化学汽相沉积有利地形成。二价铜络合物的代表性的实例用通式(I)来表示：如上式其中Z是氢或烷基；X是用通式(I－I)表示的基团，其中Ra是亚烷基，Rb、Rc和Rd中的每一个是烷基；Y是烷基或用通式(I－I)表示的基团，其中Ra亚烷基，Rb、Rc和Rd中的每一个是烷基。
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公开(公告)号：CN1363720A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01143189.X
申请日：2001-11-06
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C23C16/18
CPC classification number: C07F7/0898 , C07F7/1804
Abstract: 一种有下面结构式的有机金属铜络合物有益地用于用化学汽相淀积法制备金属铜膜，其中R1和R2各自是烷基或全氟烷基;R3是氢、氟或全氟烷基;和R4到R7中至少一个是有右下结构式的基团，其中Ra是亚烷基,Rb、Rc和Rd各自是烷基,和M是氧或硫,其余各自是氢或烷基。
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