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公开(公告)号：CN101359685A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810144883.8
申请日：2008-07-31
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/772 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L27/085 , H01L27/092 , H01L27/12 , H01L21/335 , H01L21/336 , H01L21/8232 , H01L21/8238 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2658 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7847 , H01L29/7848
Abstract: 一种半导体器件及制作方法，特别是一种具有应变膜的半导体器件及制作方法。该器件包括NFET器件源极和漏极区中嵌入的SiGeC层及PFET器件源极和漏极区中嵌入的SiGe层。PFET器件受到压应变。该方法包括在NFET器件的源极和漏极区中嵌入SiGe并在NFET器件的源极和漏极区中嵌入的SiGe中注入碳以形成SiGeC层。该SiGeC层经熔融激光退火以使碳均匀分布于SiGeC层中，从而抵消由嵌入的SiGe引起的应变。
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公开(公告)号：CN1263105C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN03152636.5
申请日：2003-08-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/473 , H01L21/283 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/823864
Abstract: 本发明公开了一种形成氧化层的方法，该方法在具有不同掺杂水平和/或不同掺杂剂类型的表面上形成基本上均匀的氧化物膜。在一个方面，公开了一种在重度掺杂的n型和p型栅极的侧壁上形成均匀的氧化物隔离壁的方法。该方法包括：提供一半导体衬底，其具有至少两个有相异掺杂剂特性的区域；可选地加热该衬底；以及通过将衬底暴露在包括原子氧的气体混合物中来在该至少两个区域上形成均匀的氧化层。
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公开(公告)号：CN101584025B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200680010740.7
申请日：2006-03-29
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 迈克尔·P·贝尔扬斯基 , 奥利格·格卢申科夫 , 李瑛 , 阿努帕马·马利卡朱南
IPC: H01L21/26
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45523 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/3185 , H01L21/823807 , H01L21/823864 , H01L29/7833 , H01L29/7843
Abstract: 提供了一种通过改良应力源的内部结构增加非晶薄膜应力源的应力水平的方法。该方法包括首先在基板(12)的至少一表面上形成非晶膜应力源材料的第一部分(14)，所述第一部分(18)具有确定第一应力值的第一状态的机械应变。该形成步骤之后，非晶膜应力源材料的第一部分被致密化(20)以使得第一状态的机械应变没有被实质地改变，而增加了该第一应力值。在某些实施例中，形成和致密化的步骤被重复任何多次(20、20A、20B)以获得预定的和期望的应力源的厚度。
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公开(公告)号：CN101584025A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200680010740.7
申请日：2006-03-29
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 迈克尔·P·贝尔扬斯基 , 奥利格·格卢申科夫 , 李瑛 , 阿努帕马·马利卡朱南
IPC: H01L21/26
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45523 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/3185 , H01L21/823807 , H01L21/823864 , H01L29/7833 , H01L29/7843
Abstract: 提供了一种通过改良应力源的内部结构增加非晶薄膜应力源的应力水平的方法。该方法包括首先在基板(12)的至少一表面上形成非晶膜应力源材料的第一部分(14)，所述第一部分(18)具有确定第一应力值的第一状态的机械应变。该形成步骤之后，非晶膜应力源材料的第一部分被致密化(20)以使得第一状态的机械应变没有被实质地改变，而增加了该第一应力值。在某些实施例中，形成和致密化的步骤被重复任何多次(20、20A、20B)以获得预定的和期望的应力源的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101359685B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200810144883.8
申请日：2008-07-31
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/772 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L27/085 , H01L27/092 , H01L27/12 , H01L21/335 , H01L21/336 , H01L21/8232 , H01L21/8238 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2658 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7847 , H01L29/7848
Abstract: 一种半导体器件及制作方法，特别是一种具有应变膜的半导体器件及制作方法。该器件包括NFET器件源极和漏极区中嵌入的SiGeC层及PFET器件源极和漏极区中嵌入的SiGe层。PFET器件受到压应变。该方法包括在NFET器件的源极和漏极区中嵌入SiGe并在NFET器件的源极和漏极区中嵌入的SiGe中注入碳以形成SiGeC层。该SiGeC层经熔融激光退火以使碳均匀分布于SiGeC层中，从而抵消由嵌入的SiGe引起的应变。
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公开(公告)号：CN101410951A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200480002308.4
申请日：2004-01-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/4983 , H01L21/26586 , H01L21/28105 , H01L29/66484 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7831 , H01L29/7836 , Y10S257/90
Abstract: 一种低GIDL电流MOSFET器件(90)结构及其制备方法，该器件提供了低GIDL电流。该MOSFET器件结构包含其边缘可与源极/漏极扩散(88，88)略微重叠的中部栅极导体(10)，以及通过薄的绝缘和扩散阻挡层(50，52)与中部栅极导体分开的侧翼栅极导体(70，70)。
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公开(公告)号：CN101410951B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200480002308.4
申请日：2004-01-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/4983 , H01L21/26586 , H01L21/28105 , H01L29/66484 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7831 , H01L29/7836 , Y10S257/90
Abstract: 一种低GIDL电流MOSFET器件(90)结构及其制备方法，该器件提供了低GIDL电流。该MOSFET器件结构包含其边缘可与源极/漏极扩散(88，88)略微重叠的中部栅极导体(10)，以及通过薄的绝缘和扩散阻挡层(50，52)与中部栅极导体分开的侧翼栅极导体(70，70)。
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公开(公告)号：CN1628387A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN02828989.7
申请日：2002-06-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 拉马钱德拉·迪瓦卡鲁尼 , 奥利格·格卢申科夫 , 杰克·A·曼德尔曼 , 卡尔·J·拉登斯 , 罗伯特·C·旺
CPC classification number: H01L21/743 , H01L21/76895 , H01L21/84 , H01L23/535 , H01L27/1203 , H01L29/42384 , H01L29/7839 , H01L29/78612 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于在衬底的单晶半导体层(12)中形成集成电路的掩埋互连(10)的结构和方法。所述掩埋互连由淀积导体形成，且具有接触形成于所述单晶半导体层中的电子器件(20)的单晶区的一个或多个垂直侧壁(18)。
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公开(公告)号：CN1507016A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN03152636.5
申请日：2003-08-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/473 , H01L21/283 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/823864
Abstract: 本发明公开了一种形成氧化层的方法，该方法在具有不同掺杂水平和/或不同掺杂剂类型的表面上形成基本上均匀的氧化物膜。在一个方面，公开了一种在重度掺杂的n型和p型栅极的侧壁上形成均匀的氧化物隔离壁的方法。该方法包括：提供一半导体衬底，其具有至少两个有相异掺杂剂特性的区域；可选地加热该衬底；以及通过将衬底暴露在包括原子氧的气体混合物中来在该至少两个区域上形成均匀的氧化层。
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