形成氧化层的方法

Invention Grant

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Patent Title: 形成氧化层的方法
Patent Title (English): Method for forming oxidation layer
Application No.: CN03152636.5

Application Date: 2003-08-01
Publication No.: CN1263105C

Publication Date: 2006-07-05
Inventor: 奥利格·格卢申科夫 , 布鲁斯·B·多丽丝 , 奥默·H·多库马西
Applicant: 国际商业机器公司
Applicant Address: 美国纽约州
Assignee: 国际商业机器公司
Current Assignee: 国际商业机器公司
Current Assignee Address: 美国纽约州
Agency: 北京市柳沈律师事务所
Agent 李晓舒; 魏晓刚
Priority: 10/314,499 2002.12.06 US
Main IPC: H01L21/316
IPC: H01L21/316 ; H01L21/473 ; H01L21/283 ; H01L21/762

Abstract:

本发明公开了一种形成氧化层的方法，该方法在具有不同掺杂水平和/或不同掺杂剂类型的表面上形成基本上均匀的氧化物膜。在一个方面，公开了一种在重度掺杂的n型和p型栅极的侧壁上形成均匀的氧化物隔离壁的方法。该方法包括：提供一半导体衬底，其具有至少两个有相异掺杂剂特性的区域；可选地加热该衬底；以及通过将衬底暴露在包括原子氧的气体混合物中来在该至少两个区域上形成均匀的氧化层。

Public/Granted literature

CN1507016A 形成氧化层的方法 Public/Granted day:2004-06-23

Information query

Chinese Patent Announcement Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314	......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316	.......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层