公开(公告)号：CN101359685A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810144883.8

申请日：2008-07-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 奥利格·格卢申科夫 ,  萨梅尔·简 ,  刘孝诚

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L27/085 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种半导体器件及制作方法，特别是一种具有应变膜的半导体器件及制作方法。该器件包括NFET器件源极和漏极区中嵌入的SiGeC层及PFET器件源极和漏极区中嵌入的SiGe层。PFET器件受到压应变。该方法包括在NFET器件的源极和漏极区中嵌入SiGe并在NFET器件的源极和漏极区中嵌入的SiGe中注入碳以形成SiGeC层。该SiGeC层经熔融激光退火以使碳均匀分布于SiGeC层中，从而抵消由嵌入的SiGe引起的应变。

公开(公告)号：CN101359685B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200810144883.8

申请日：2008-07-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 奥利格·格卢申科夫 ,  萨梅尔·简 ,  刘孝诚

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L27/085 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种半导体器件及制作方法，特别是一种具有应变膜的半导体器件及制作方法。该器件包括NFET器件源极和漏极区中嵌入的SiGeC层及PFET器件源极和漏极区中嵌入的SiGe层。PFET器件受到压应变。该方法包括在NFET器件的源极和漏极区中嵌入SiGe并在NFET器件的源极和漏极区中嵌入的SiGe中注入碳以形成SiGeC层。该SiGeC层经熔融激光退火以使碳均匀分布于SiGeC层中，从而抵消由嵌入的SiGe引起的应变。