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公开(公告)号：CN101286483B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710141326.6
申请日：2007-08-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片及集成电路结构。该半导体芯片包括一密封环、一开口及一水气挡块；密封环邻接于半导体芯片的边缘；开口从密封环的一顶面延伸至密封环的一底面；开口具有一第一端及一第二端；第一端位于密封环的一外侧上，以及第二端位于密封环的一内侧上；水气挡块具有一侧壁；侧壁平行于密封环的一最近侧；水气挡块邻接于密封环，并且具有面对开口的一部分。本发明的特点在于中断的密封环可降低噪声耦合，以及通过延伸水气行进路径和/或水气挡块的成型来降低水气穿透。
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公开(公告)号：CN107039392B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201611114845.9
申请日：2016-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/528 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体结构包括衬底，该衬底包括在衬底上方设置的管芯焊盘以及在衬底上方设置的和围绕管芯焊盘的钝化层；再分布层(RDL)，包括在钝化层上方设置的介电层和在介电层内设置的且与管芯焊盘电连接的互连结构；导电凸块，设置在互连结构上方并且与互连结构电连接；以及隔离层，围绕衬底和RDL。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN107039392A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611114845.9
申请日：2016-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/528 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体结构包括衬底，该衬底包括在衬底上方设置的管芯焊盘以及在衬底上方设置的和围绕管芯焊盘的钝化层；再分布层(RDL)，包括在钝化层上方设置的介电层和在介电层内设置的且与管芯焊盘电连接的互连结构；导电凸块，设置在互连结构上方并且与互连结构电连接；以及隔离层，围绕衬底和RDL。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN101383308A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810211802.1
申请日：2008-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
CPC classification number: G01R31/2858 , G01R31/2853 , G01R31/2884 , H01L22/14 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种测量互连特性的方法。此方法包含下列步骤：提供多个互连测试图案。在多个互连测试图案平行连接处形成垫。在多个互连测试图案中的至少一个与垫之间形成至少一个电阻。通过施加电流、电压、和/或机构应力至此垫以测量所述多个互连测试图案的特性。
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公开(公告)号：CN104052451A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310695758.7
申请日：2013-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明提供了MiM电容器以及控制一个或多个电子设备的一个或多个系统和技术。确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的第一电容器具有缺陷。根据该确定，禁用第一电容器，并且启用第二电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101286483A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710141326.6
申请日：2007-08-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片及集成电路结构。该半导体芯片包括一密封环、一开口及一水气挡块；密封环邻接于半导体芯片的边缘；开口从密封环的一顶面延伸至密封环的一底面；开口具有一第一端及一第二端；第一端位于密封环的一外侧上，以及第二端位于密封环的一内侧上；水气挡块具有一侧壁；侧壁平行于密封环的一最近侧；水气挡块邻接于密封环，并且具有面对开口的一部分。本发明的特点在于中断的密封环可降低噪声耦合，以及通过延伸水气行进路径和/或水气挡块的成型来降低水气穿透。
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公开(公告)号：CN100424848C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200410091278.0
申请日：2004-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L22/34 , G01R31/2853 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是关于一种减少应力导致孔洞形成的线路结构，线路结构具有第一导电层，第一导电层包括一大区域部分，连接于突出部的一端，而突出部具有复数个“n”重叠部分与至少一弯曲部分。突出部的另一端连接介层窗的底部，介层窗之上具有一第二导电层。弯曲部是由重叠两相邻重叠部分的该端而形成，且其具有一角度介于45°至135°。突出部也可包括至少一延伸部，位于向着一弯曲部的一部分中。弯曲部分与延伸部是用做为障碍物，以延缓空缺由大区域部分扩散至介层窗的附近地区，特别是有用于铜内连线或用在介层窗测试结构。
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公开(公告)号：CN1728354A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200410091278.0
申请日：2004-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L22/34 , G01R31/2853 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是关于一种减少应力导致孔洞形成的线路结构，线路结构具有第一导电层，第一导电层包括一大区域部分，连接于突出部的一端，而突出部具有复数个“n”重叠部分与至少一弯曲部分。突出部的另一端连接介层窗的底部，介层窗之上具有一第二导电层。弯曲部是由重叠两相邻重叠部分的该端而形成，且其具有一角度介于45°至135°。突出部也可包括至少一延伸部，位于向着一弯曲部的一部分中。弯曲部分与延伸部是用做为障碍物，以延缓空缺由大区域部分扩散至介层窗的附近地区，特别是有用于铜内连线或用在介层窗测试结构。
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公开(公告)号：CN104052451B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201310695758.7
申请日：2013-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明提供了MiM电容器以及控制一个或多个电子设备的一个或多个系统和技术。确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的第一电容器具有缺陷。根据该确定，禁用第一电容器，并且启用第二电容器。
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公开(公告)号：CN100438079C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200710005303.2
申请日：2007-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 王建荣
IPC: H01L29/92 , H01L27/00 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5223 , H01G4/005 , H01G4/10 , H01G4/33 , H01L28/87 , H01L28/91 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电容器结构及多层电容器结构，其中该电容器结构包括：一第一总线，包含位于第一方向的第一脚以及位于第二方向的第二脚；一第二总线，与该第一总线电性绝缘，其中该第一总线与该第二总线位于一第一金属层中；第一指状物，连接于该第一总线，其中所述第一指状物互相平行，并且所述第一指状物的长轴与该第一脚形成一锐角；以及第二指状物，连接于该第二总线，其中所述第二指状物互相平行，并且平行于所述第一指状物，且其中所述第一指状物与所述第二指状物彼此交错地设置且以一介电材料隔开。本发明具有较高的有效芯片区域的使用率，可实现较大的电容值。
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