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公开(公告)号：CN113725179B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110849509.3
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种弹性子模组及模组化压接型半导体模块，弹性子模组包括：导电片、绝缘弹性件和导电板；导电片为折弯成具有若干凹槽的弯折状导电片，导电片通过其凹槽卡接在绝缘弹性件上端，绝缘弹性件的下端接导电板；模组化压接型半导体模块，包括模块集电极板、芯片子模组、模块发射极板和弹性子模组；芯片子模组包括芯片、集电极导体、发射极导体；模块集电极板、集电极导体、芯片、发射极导体、弹性子模组、模块发射极板从上至下依次连接。优点：通过将芯片模组化的形式，可进一步降低热阻，提高模块的功率密度及电流等级；将芯片子单元模组化还能够降低物料成本与减少加工工序。
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公开(公告)号：CN113140524A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110348467.5
申请日：2021-03-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块结构，包括：基板、半导体芯片、触点元件和顶板，所述半导体芯片设有第一主电极和第二主电极，所述第一主电极耦接所述基板，所述第二主电极耦接所述触点元件，所述触点元件为螺纹结构，所述顶板与所述触点元件通过螺纹连接。通过采用触点元件的方式，单独旋转调节触点元件的高度来调整半导体芯片所承载的压力，实现单颗芯片压力可调，解耦芯片间的压力，实现芯片间应力均衡，一致性更高；通过采用螺纹结构的触点元件增大导电面积，降低热阻，提高通流能力，提高可靠性；针对超过阈值压力的部分通过承压体来承担，使得半导体芯片上的压力在规定的范围内，外部压力变化不会导致半导体芯片表面的压力变化。
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公开(公告)号：CN111787695A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010721380.3
申请日：2020-07-24
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种采用超声焊接端子的半导体功率模块，所述下壳体设置在金属基板上，下壳体内设置有多个间隔，每个间隔内设置有绝缘陶瓷衬板，每块绝缘陶瓷衬板上设置有IGBT芯片和FWD芯片，IGBT芯片和FWD芯片构成一个半桥电路，多个半桥电路构成一个全桥电路；所述下壳体两端分别嵌入有功率端子，功率端子的末端与绝缘陶瓷衬板相连接；所述信号端子嵌入间隔内设置的横梁，信号端子末端分别与绝缘陶瓷衬板相连接。本发明简化了模块的生产过程，提高了模块的生产效率，增强模块工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN116190335A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211618940.8
申请日：2022-12-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种功率模块、功率器件及功率模块的制备方法，其中功率模块包括从上至下设置的盖板、侧框和基板；所述基板上设有衬板，衬板正面的第一导电区的一侧电连接芯片的集电极；所述芯片的栅极通过键合线电连接衬板正面的第二导电区，第二导电区电连接信号端弹簧针，信号端弹簧针电连接外置接口；所述芯片的发射极电连接导电片，导电片电连接导电桥臂；所述导电桥臂输出端电连接外置接口；所述导电桥臂抵连盖板，盖板外周设有紧固件，紧固件贯穿侧框与基板螺纹连接。本发明能够提高功率模块的导电桥臂的通流能力。
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公开(公告)号：CN114743948A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210192349.4
申请日：2022-02-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/58 , H01L25/07
Abstract: 本发明公开了一种具备短路失效模式的压接型半导体模块，包括：依次设置的顶板、弹性导电组件、电路板、金属片、功率芯片和底板；顶板、弹性导电组件、电路板、金属片、功率芯片和底板通过外部施加压力紧密电连接；将多颗功率芯片的栅极通过一个或两个以上的导体引出，引出至外部端子。优点：多芯片并联，其中一颗芯片失效时，芯片进入短路模式，瞬时释放出大量的热，由于设置了电路板，每颗芯片均电联接一起，热量可以分别横、纵向扩散。增加了导电片过热熔断的时间，提升了系统的安全性和可靠性。通过设置电路板，从原有的单向电流路径，增加了前后左右所有的支路路径，多芯片之间电流回路可共享，起到有效均流的能力，从而增加芯片的输出能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068515A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111413751.2
申请日：2021-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种压接式功率器件，包括：管壳集电极电路板、管壳发射极电路板、栅极PCB板和若干个集成子单元，所述集成子单元一面连接所述管壳集电极电路板，另一面设有若干个IGBT芯片和FRD芯片，每个IGBT芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的IGBT凸台，每个FRD芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的FRD凸台，所述栅极PCB板连接所述管壳发射极电路板。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。
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公开(公告)号：CN112086372B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010995804.5
申请日：2020-09-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。
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公开(公告)号：CN112086372A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010995804.5
申请日：2020-09-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。
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公开(公告)号：CN114068501A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111415555.9
申请日：2021-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。
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公开(公告)号：CN112951790A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110112529.2
申请日：2021-01-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/49
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块，包括模块集电极、模块发射极、子模组、子单元、导电承压体和导电片；所述子单元包括芯片、集电极导体、发射极导体，将芯片通过焊接、烧结或者压接的方式设在集电极导体和发射极导体之间；所述子模组包括承压限位框，承压限位框的腔体中设有若干个所述子单元；所述模块集电极与子单元的集电极导体连接，连接处位于所述承压限位框的腔体中；所述子单元的发射极导体底部连接导电承压体，导电承压体底部连接导电片，导电片底部在承压时与模块发射极连接，在未承压时与模块发射极电分离。优点：通过将芯片子单元模组化的形式，能够降低热阻，提高模块的功率密度及电流等级，降低物料成本与减少加工工序。
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