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公开(公告)号：CN111787695A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010721380.3
申请日：2020-07-24
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种采用超声焊接端子的半导体功率模块，所述下壳体设置在金属基板上，下壳体内设置有多个间隔，每个间隔内设置有绝缘陶瓷衬板，每块绝缘陶瓷衬板上设置有IGBT芯片和FWD芯片，IGBT芯片和FWD芯片构成一个半桥电路，多个半桥电路构成一个全桥电路；所述下壳体两端分别嵌入有功率端子，功率端子的末端与绝缘陶瓷衬板相连接；所述信号端子嵌入间隔内设置的横梁，信号端子末端分别与绝缘陶瓷衬板相连接。本发明简化了模块的生产过程，提高了模块的生产效率，增强模块工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN115642138A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211488224.2
申请日：2022-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/48 , H01L25/07 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种压接式IGBT模块，本发明在发射极电极和集电极电极之间的内腔内设置导电液结构体，在任一芯片失效时，芯片失效点与失效芯片的上钼片产生烧穿壳体的电弧，导电液从烧穿处流出，覆盖内腔内所有芯片及芯片周边空间，从而短接覆盖的导电结构，实现发射极电极和集电极电极的良好稳固性短路，使压接式IGBT模块具有稳定的长期短路失效功能。
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公开(公告)号：CN112086420A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010997150.X
申请日：2020-09-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种用于功率器件内部连接的弹性组件，包括导电套筒，导电套筒内设有碟簧，导电套筒上口两侧分别设有导电弹片，导电弹片一端与导电套筒侧壁接触形成原子间键合，另一端与碟簧接触，导电套筒上口两侧的导电弹片之间设有导电柱，导电柱一端与两个导电弹片接触，另一端与芯片钼片接触；工作时，在器件发射极和集电极两端施加一定的压力，各个组件连接更为紧密，碟簧通过收缩提供压应力方向的位移Δh，达到器件的负载阈值，此时器件中各芯片间在压应力的作用下导通压降等性能的变化值保持一致；本发明可有效提高压接模块芯片的压应力均衡性，同时极大程度提高模块的电路通流能力。
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公开(公告)号：CN113725190A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110849006.6
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，包括两块覆铜陶瓷衬板，所述覆铜陶瓷衬板包括：氧化铝陶瓷层，所述氧化铝陶瓷层的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔，正面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层及背面覆铜金属层与氧化铝陶瓷层通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板中的氧化铝陶瓷层通过邮票孔连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体；本发明提高了功率器件的封装效率，减少生产过程中的半成品，实现在半成品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。
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公开(公告)号：CN113725190B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110849006.6
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，包括两块覆铜陶瓷衬板，所述覆铜陶瓷衬板包括：氧化铝陶瓷层，所述氧化铝陶瓷层的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔，正面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层及背面覆铜金属层与氧化铝陶瓷层通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板中的氧化铝陶瓷层通过邮票孔连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体；本发明提高了功率器件的封装效率，减少生产过程中的半成品，实现在半成品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112086372B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010995804.5
申请日：2020-09-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。
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公开(公告)号：CN112086372A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010995804.5
申请日：2020-09-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。
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公开(公告)号：CN217252390U
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202220727896.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT模块的多端子折弯工装，包括平板底座、限位槽和至少两套折弯装置，所述限位槽设置于平板底座上，使IGBT模块能够在平板底座上沿限位槽平移；所述折弯装置可拆卸地安装于平板底座上，不同折弯装置的折弯高度和折弯面积均不相同，在限位槽同侧的折弯装置是分别对功率端子和信号端子进行折弯并且折弯方向相反。本实用新型在一个工装上设置不同的折弯装置，使该折弯工装能够一次性解决同一个模块上，不同折弯高度、不同折弯面积、不同折弯方向的多端子折弯的难题，折弯过程无需更换工装，并且装配及操作简单，节省制造成本和时间成本。
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公开(公告)号：CN213998341U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202022348605.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: B23K37/04 , B23K101/36
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT模块的焊接限位工装，属于IGBT模块真空焊接技术领域，包括焊接托盘、粗限位隔板和精确限位框；焊接托盘的顶面上设有容纳基板的凹槽；粗限位隔板可拆卸地安装于所述基板的顶面，粗限位隔板上贯通地开设有定位框，定位框的两个相对侧边面上对称地设有若干凸台，定位框被所述凸台分割成多个用于限位衬板的子定位框；精确限位框可拆卸地安装于所述焊接托盘的顶面，精确限位框上设有若干定位针，定位针的一端穿过相邻所述子定位框所容纳衬板之间的间隙触压在所述基板的顶面；定位针的直径大于所述凸台的宽度。本实用新型能够保证衬板子单元位置相对固定，装配过程简单、易操作，且便于拆卸工装。
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公开(公告)号：CN213459704U
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202022409327.8
申请日：2020-10-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型公开了一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构，包括铜基板(1)，所述铜基板(1)为预折弯结构且上面为凹面，所述铜基板(1)上面沿着长度方向开设有两条平行设置的横向开槽(5)，两条所述横向开槽(5)之间开设有若干条平行设置的竖向开槽(4)，所述横向开槽(5)和竖向开槽(4)之间形成若干个凸台(3)，所述凸台(3)面积与衬板焊接面面积相当，所述铜基板(1)长度方向边缘处开设有固定孔位(2)。本实用新型提供的一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构，能够释放部分焊接应力降低焊接翘曲度以及降低器件安装难度，提高器件散热面与冷却板的契合度。
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