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公开(公告)号:CN115377013A
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202211017577.4
申请日:2022-08-23
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种模块密封壳体及高压IGBT模块,在不增加外壳的制造成本的基础上,改变外壳的局部结构,使外壳和环氧树脂的结合面积增加,从而消除环氧树脂和外密封性差的问题;在局部位置添加隔栅设计,减少硅胶的灌注量,降低制造成本。包括:基板、侧部外壳、盖板以及相应的模块组件,所述侧部外壳底部与基板密封连接;所述侧部外壳顶部与盖板密封连接;所述侧部外壳的内侧设有U形结构,所述U形结构靠近侧部外壳的一端为环氧树脂阻挡部,另一端为硅胶阻挡部,所述环氧树脂阻挡部的高度大于所述硅胶阻挡部,所述硅胶阻挡部之间的区域为硅胶灌注腔,所述硅胶灌注腔上方及所述环氧树脂阻挡部与硅胶阻挡部之间为环氧树脂灌注腔。
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公开(公告)号:CN113851468A
公开(公告)日:2021-12-28
申请号:CN202111259374.1
申请日:2021-10-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种模组化压接型半导体模块,包括:依次电连接的顶板、芯片单元组、弹性组件和底板,所述芯片单元组、弹性组件均有若干组;每一组芯片单元组上方设有一组所述弹性组件,每个弹性组件中设有不少于每组芯片单元组所包含的芯片个数的弹性件。优点:本发明的半导体模块通过模组化设计以及导电路径结构设计,能够提升导电能力、均流及降低热阻,弹性压接使得芯片之间受力均衡;模组化的设计还方便生产,方便根据需求配置模组个数。
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公开(公告)号:CN114068515A
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202111413751.2
申请日:2021-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种压接式功率器件,包括:管壳集电极电路板、管壳发射极电路板、栅极PCB板和若干个集成子单元,所述集成子单元一面连接所述管壳集电极电路板,另一面设有若干个IGBT芯片和FRD芯片,每个IGBT芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的IGBT凸台,每个FRD芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的FRD凸台,所述栅极PCB板连接所述管壳发射极电路板。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制,通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量;针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点,本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。
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公开(公告)号:CN218585962U
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202222220448.7
申请日:2022-08-23
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型提供一种模块密封壳体及高压IGBT模块,在不增加外壳的制造成本的基础上,改变外壳的局部结构,使外壳和环氧树脂的结合面积增加,从而消除环氧树脂和外密封性差的问题;在局部位置添加隔栅设计,减少硅胶的灌注量,降低制造成本。包括:基板、侧部外壳、盖板以及相应的模块组件,所述侧部外壳底部与基板密封连接;所述侧部外壳顶部与盖板密封连接;所述侧部外壳的内侧设有U形结构,所述U形结构靠近侧部外壳的一端为环氧树脂阻挡部,另一端为硅胶阻挡部,所述环氧树脂阻挡部的高度大于所述硅胶阻挡部,所述硅胶阻挡部之间的区域为硅胶灌注腔,所述硅胶灌注腔上方及所述环氧树脂阻挡部与硅胶阻挡部之间为环氧树脂灌注腔。
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公开(公告)号:CN217252390U
公开(公告)日:2022-08-23
申请号:CN202220727896.3
申请日:2022-03-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT模块的多端子折弯工装,包括平板底座、限位槽和至少两套折弯装置,所述限位槽设置于平板底座上,使IGBT模块能够在平板底座上沿限位槽平移;所述折弯装置可拆卸地安装于平板底座上,不同折弯装置的折弯高度和折弯面积均不相同,在限位槽同侧的折弯装置是分别对功率端子和信号端子进行折弯并且折弯方向相反。本实用新型在一个工装上设置不同的折弯装置,使该折弯工装能够一次性解决同一个模块上,不同折弯高度、不同折弯面积、不同折弯方向的多端子折弯的难题,折弯过程无需更换工装,并且装配及操作简单,节省制造成本和时间成本。
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