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公开(公告)号：CN114203643B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202111524860.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本发明通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。
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公开(公告)号：CN118173545A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211576821.0
申请日：2022-12-09
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半刚性压接型半导体子模块，承压框架两端分别设置发射极金属凸块和底板；发射极金属凸块内置电路板；底板电连接多个芯片，每个芯片电连接一个金属片，多个芯片栅极电连接电路板；发射极金属凸块和承压框架之间通过导电板隔开，发射极金属凸块通过导电板电连接所有金属片。优点：设置了导电板，每颗芯片均电联接一起，热量可以分别横、纵向扩散，增加了导电片过热熔断的时间，同时提升器件的短路失效直通能力，提升了系统的安全性和可靠性。发射极金属凸块通过外力施加在导电板，受力位置避开导电板下方芯片上方的金属片，凸块隔着导电板的力作用在承压框架上，从而起到半刚性的压接效果。
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公开(公告)号：CN113851468A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111259374.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种模组化压接型半导体模块，包括：依次电连接的顶板、芯片单元组、弹性组件和底板，所述芯片单元组、弹性组件均有若干组；每一组芯片单元组上方设有一组所述弹性组件，每个弹性组件中设有不少于每组芯片单元组所包含的芯片个数的弹性件。优点：本发明的半导体模块通过模组化设计以及导电路径结构设计，能够提升导电能力、均流及降低热阻，弹性压接使得芯片之间受力均衡；模组化的设计还方便生产，方便根据需求配置模组个数。
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公开(公告)号：CN114743948A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210192349.4
申请日：2022-02-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/58 , H01L25/07
Abstract: 本发明公开了一种具备短路失效模式的压接型半导体模块，包括：依次设置的顶板、弹性导电组件、电路板、金属片、功率芯片和底板；顶板、弹性导电组件、电路板、金属片、功率芯片和底板通过外部施加压力紧密电连接；将多颗功率芯片的栅极通过一个或两个以上的导体引出，引出至外部端子。优点：多芯片并联，其中一颗芯片失效时，芯片进入短路模式，瞬时释放出大量的热，由于设置了电路板，每颗芯片均电联接一起，热量可以分别横、纵向扩散。增加了导电片过热熔断的时间，提升了系统的安全性和可靠性。通过设置电路板，从原有的单向电流路径，增加了前后左右所有的支路路径，多芯片之间电流回路可共享，起到有效均流的能力，从而增加芯片的输出能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114203661A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111431388.7
申请日：2021-11-29
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/492 , H01L29/417 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种压接式半导体功率模块，包括发射极导体和M个发射极凸台，N个所述发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，且N≤M，所述焊料于焊接后形成焊层，所述焊层于发射极凸台和发射极导体间压力达到指定值时发生塑形变形，且发射极凸台和发射极导体中的杨氏模量均大于焊层的杨氏模量。本发明通过将发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，减小压接式IGBT模块工作状态下各芯片间应力不均衡现象，提升各芯片间的受力一致性及压接式模块可靠性。
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公开(公告)号：CN114203643A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111524860.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本发明通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。
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公开(公告)号：CN114068515A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111413751.2
申请日：2021-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种压接式功率器件，包括：管壳集电极电路板、管壳发射极电路板、栅极PCB板和若干个集成子单元，所述集成子单元一面连接所述管壳集电极电路板，另一面设有若干个IGBT芯片和FRD芯片，每个IGBT芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的IGBT凸台，每个FRD芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的FRD凸台，所述栅极PCB板连接所述管壳发射极电路板。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。
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公开(公告)号：CN216849919U
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202122954178.8
申请日：2021-11-29
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/492 , H01L29/417 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了功率半导体器件技术领域的一种压接式半导体功率模块，包括发射极导体和M个发射极凸台，N个所述发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，且N≤M，所述焊料于焊接后形成焊层，所述焊层于发射极凸台和发射极导体间压力达到指定值时发生塑形变形，且发射极凸台和发射极导体中的杨氏模量均大于焊层的杨氏模量。本实用新型通过将发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，减小压接式IGBT模块工作状态下各芯片间应力不均衡现象，提升各芯片间的受力一致性及压接式模块可靠性。
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公开(公告)号：CN216849898U
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202123132365.4
申请日：2021-12-14
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本实用新型通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。
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