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公开(公告)号：CN112560318B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202011530910.2
申请日：2020-12-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: G06F30/23 , G06F30/28 , G06F30/367 , G06F113/08 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种不同工况下IGBT器件各物理层温度监测仿真方法，通过三维制图软件，建立IGBT器件的3D热仿真模型；将3D热仿真模型导入Icepak仿真软件，对3D热仿真模型进行瞬态CFD模拟计算；将CFD模拟计算结果作为Simplorer仿真软件的输入，创建降阶模型；使用Simplorer建立IGBT动态封装模型；基于封装模型在Simplorer中搭建单相PWM逆变电路拓扑模型，通过PWM控制所述拓扑模型，得到IGBT器件动态封装模型的电压和电流数据；将所述电压和电流数据输入降阶模型，得到IGBT、二极管的结温以及IGBT器件各物理层的温度随时间变化的曲线。本发明大大减少了仿真计算的时间。
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公开(公告)号：CN117155067A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311078000.9
申请日：2023-08-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H02M1/00 , H02M7/00 , H02M7/483 , H02M7/5387 , H02M1/32
Abstract: 本发明公开了一种三电平三极管模块，其中：上桥臂电路和下桥臂电路分别设置在上桥臂覆铜陶瓷衬板和下桥臂覆铜陶瓷衬板上，上桥臂覆铜陶瓷衬板和下桥臂覆铜陶瓷衬板设置于覆铜基板上；上桥臂电路包括串联的三极管芯片组S1和S2，下桥臂电路包括串联的三极管芯片组S3和S4；三极管芯片组包括IGBT芯片和FRD芯片，三极管芯片组中的IGBT芯片的长边和宽边的布置方向相同，三极管芯片组中的FRD芯片的长边和宽边的布置方向相同。采用上述技术方案，通过设置覆铜基板，增加机械强度的基础上，可以更好地释放热量、扩大模块可用于布置半导体器件的尺寸面积，结合三极管模块的结构布置优化，能够利用的半导体器件的数量增多，提升电流规格。
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公开(公告)号：CN112560318A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011530910.2
申请日：2020-12-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: G06F30/23 , G06F30/28 , G06F30/367 , G06F113/08 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种不同工况下IGBT器件各物理层温度监测仿真方法，通过三维制图软件，建立IGBT器件的3D热仿真模型；将3D热仿真模型导入Icepak仿真软件，对3D热仿真模型进行瞬态CFD模拟计算；将CFD模拟计算结果作为Simplorer仿真软件的输入，创建降阶模型；使用Simplorer建立IGBT动态封装模型；基于封装模型在Simplorer中搭建单相PWM逆变电路拓扑模型，通过PWM控制所述拓扑模型，得到IGBT器件动态封装模型的电压和电流数据；将所述电压和电流数据输入降阶模型，得到IGBT、二极管的结温以及IGBT器件各物理层的温度随时间变化的曲线。本发明大大减少了仿真计算的时间。
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公开(公告)号：CN114203643A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111524860.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本发明通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。
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公开(公告)号：CN112951790A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110112529.2
申请日：2021-01-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/49
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块，包括模块集电极、模块发射极、子模组、子单元、导电承压体和导电片；所述子单元包括芯片、集电极导体、发射极导体，将芯片通过焊接、烧结或者压接的方式设在集电极导体和发射极导体之间；所述子模组包括承压限位框，承压限位框的腔体中设有若干个所述子单元；所述模块集电极与子单元的集电极导体连接，连接处位于所述承压限位框的腔体中；所述子单元的发射极导体底部连接导电承压体，导电承压体底部连接导电片，导电片底部在承压时与模块发射极连接，在未承压时与模块发射极电分离。优点：通过将芯片子单元模组化的形式，能够降低热阻，提高模块的功率密度及电流等级，降低物料成本与减少加工工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114203643B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202111524860.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本发明通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。
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公开(公告)号：CN113013147B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202110410365.1
申请日：2021-04-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块，采用柔性压接，芯片受力均匀，抗压能力强。包括管壳，所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接，另一端与模块集电极导电体滑动连接；在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框，所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接，所述承压限位框包括多个限位单元，每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件，所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上，所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。
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公开(公告)号：CN112951790B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110112529.2
申请日：2021-01-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块，包括模块集电极、模块发射极、子模组、子单元、导电承压体和导电片；所述子单元包括芯片、集电极导体、发射极导体，将芯片通过焊接、烧结或者压接的方式设在集电极导体和发射极导体之间；所述子模组包括承压限位框，承压限位框的腔体中设有若干个所述子单元；所述模块集电极与子单元的集电极导体连接，连接处位于所述承压限位框的腔体中；所述子单元的发射极导体底部连接导电承压体，导电承压体底部连接导电片，导电片底部在承压时与模块发射极连接，在未承压时与模块发射极电分离。优点：通过将芯片子单元模组化的形式，能够降低热阻，提高模块的功率密度及电流等级，降低物料成本与减少加工工序。
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公开(公告)号：CN113013147A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110410365.1
申请日：2021-04-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块，采用柔性压接，芯片受力均匀，抗压能力强。包括管壳，所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接，另一端与模块集电极导电体滑动连接；在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框，所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接，所述承压限位框包括多个限位单元，每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件，所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上，所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。
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公开(公告)号：CN215069972U
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202120780742.6
申请日：2021-04-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块，采用柔性压接，芯片受力均匀，抗压能力强。包括管壳，所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接，另一端与模块集电极导电体滑动连接；在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框，所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接，所述承压限位框包括多个限位单元，每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件，所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上，所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。
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