公开(公告)号：CN114068501A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111415555.9

申请日：2021-11-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  童颜 ,  王豹子 ,  姚二现 ,  胡小刚 ,  陈紫默 ,  莫申扬 ,  刘东明 ,  常飞浩 ,  柴聘聘

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。

公开(公告)号：CN118173545A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202211576821.0

申请日：2022-12-09

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 童颜 ,  严百强 ,  刘克明 ,  陈紫默 ,  方赏华 ,  莫申扬 ,  张大华 ,  骆健

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种半刚性压接型半导体子模块，承压框架两端分别设置发射极金属凸块和底板；发射极金属凸块内置电路板；底板电连接多个芯片，每个芯片电连接一个金属片，多个芯片栅极电连接电路板；发射极金属凸块和承压框架之间通过导电板隔开，发射极金属凸块通过导电板电连接所有金属片。优点：设置了导电板，每颗芯片均电联接一起，热量可以分别横、纵向扩散，增加了导电片过热熔断的时间，同时提升器件的短路失效直通能力，提升了系统的安全性和可靠性。发射极金属凸块通过外力施加在导电板，受力位置避开导电板下方芯片上方的金属片，凸块隔着导电板的力作用在承压框架上，从而起到半刚性的压接效果。

公开(公告)号：CN116466216A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310333637.1

申请日：2023-03-31

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 莫申扬 ,  童颜 ,  骆健 ,  陈舒 ,  陈静

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种功率芯片电气性能测试装置，包括：装置底座，包括底座壳体、集电极金属结构和集电极端子；压装电极，包括压装电极壳，压装电极壳上方设有发射极端子，压装电极壳底部设有发射极金属结构；压装电极壳的侧面设有栅极端子和栅极顶针；传动腔和按键，压装电极壳通过施压弹簧装配在传动腔内，传动腔内设有传动齿轮，传动齿轮的一侧与按键啮合，另一侧与压装电极壳啮合，传动腔底部通过旋转组件与装置底座连接，按压按键，压装电极抬升的同时传动腔下移，所述传动腔被旋转组件撑起，按压并平移按键将所述压装电极旋转至测试工位或等待工位。本发明能够保证对功率芯片电极的压接连接，保证连接界面压力一致性，提高测试效率。

公开(公告)号：CN216849931U

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202122916327.1

申请日：2021-11-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  童颜 ,  王豹子 ,  姚二现 ,  胡小刚 ,  陈紫默 ,  莫申扬 ,  刘东明 ,  常飞浩 ,  柴聘聘

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本实用新型公开一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本实用新型结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。