公开(公告)号：CN114068501A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111415555.9

申请日：2021-11-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  童颜 ,  王豹子 ,  姚二现 ,  胡小刚 ,  陈紫默 ,  莫申扬 ,  刘东明 ,  常飞浩 ,  柴聘聘

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。

公开(公告)号：CN117155067A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311078000.9

申请日：2023-08-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 姚二现 ,  常飞浩 ,  黄全全 ,  杨金龙 ,  刘旭光 ,  韩华春 ,  李群 ,  李强

IPC: H02M1/00 ,  H02M7/00 ,  H02M7/483 ,  H02M7/5387 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明公开了一种三电平三极管模块，其中：上桥臂电路和下桥臂电路分别设置在上桥臂覆铜陶瓷衬板和下桥臂覆铜陶瓷衬板上，上桥臂覆铜陶瓷衬板和下桥臂覆铜陶瓷衬板设置于覆铜基板上；上桥臂电路包括串联的三极管芯片组S1和S2，下桥臂电路包括串联的三极管芯片组S3和S4；三极管芯片组包括IGBT芯片和FRD芯片，三极管芯片组中的IGBT芯片的长边和宽边的布置方向相同，三极管芯片组中的FRD芯片的长边和宽边的布置方向相同。采用上述技术方案，通过设置覆铜基板，增加机械强度的基础上，可以更好地释放热量、扩大模块可用于布置半导体器件的尺寸面积，结合三极管模块的结构布置优化，能够利用的半导体器件的数量增多，提升电流规格。

公开(公告)号：CN216849931U

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202122916327.1

申请日：2021-11-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  童颜 ,  王豹子 ,  姚二现 ,  胡小刚 ,  陈紫默 ,  莫申扬 ,  刘东明 ,  常飞浩 ,  柴聘聘

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本实用新型公开一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本实用新型结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。