公开(公告)号：CN112086372B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202010995804.5

申请日：2020-09-21

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  杨金龙 ,  骆健 ,  黄全全 ,  王立 ,  胡小刚 ,  臧传龙

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。

公开(公告)号：CN112086372A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010995804.5

申请日：2020-09-21

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  杨金龙 ,  骆健 ,  黄全全 ,  王立 ,  胡小刚 ,  臧传龙

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。

公开(公告)号：CN218974503U

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202222876499.5

申请日：2022-10-31

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 臧传龙 ,  姚晨阳 ,  苗硕

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04 ,  G01R1/067

Abstract: 本实用新型公开了一种便于更换的IGBT模块测试装置，属于IGBT模块检测技术领域，包括基座，所述基座上设有夹持模组、定位板和探针板；所述定位板上开设有多个第一通孔和第二通孔，所述基座上固定连接有多个导柱，所述定位板外边缘处布设有与导柱数量一致的第三通孔，所述导柱通过第三通孔与定位板连接；所述探针板上设有多个探针，所述IGBT模块上的端子穿过第一通孔和第二通孔与探针接触进行电性能测试；所述探针底部连接有导线，所述探针板上的探针穿过基座通过导线电性连接于基座的插头；所述插头与外置电源连接；当遇到不同种类的IGBT模块进行电性能测试时，只需更换与待测IGBT模块型号相同的定位板和探针板即可，进一步增强了测试装置的适用性能。