公开(公告)号：CN113140524A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110348467.5

申请日：2021-03-31

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 吕宏水 ,  童颜 ,  刘克明 ,  姚二现

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/16

Abstract: 本发明公开了一种半导体模块结构，包括：基板、半导体芯片、触点元件和顶板，所述半导体芯片设有第一主电极和第二主电极，所述第一主电极耦接所述基板，所述第二主电极耦接所述触点元件，所述触点元件为螺纹结构，所述顶板与所述触点元件通过螺纹连接。通过采用触点元件的方式，单独旋转调节触点元件的高度来调整半导体芯片所承载的压力，实现单颗芯片压力可调，解耦芯片间的压力，实现芯片间应力均衡，一致性更高；通过采用螺纹结构的触点元件增大导电面积，降低热阻，提高通流能力，提高可靠性；针对超过阈值压力的部分通过承压体来承担，使得半导体芯片上的压力在规定的范围内，外部压力变化不会导致半导体芯片表面的压力变化。

公开(公告)号：CN114203661A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111431388.7

申请日：2021-11-29

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 吕宏水 ,  王蕤 ,  陈紫默 ,  童颜 ,  王豹子 ,  严百强 ,  晁武杰 ,  林国栋

IPC: H01L23/492 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种压接式半导体功率模块，包括发射极导体和M个发射极凸台，N个所述发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，且N≤M，所述焊料于焊接后形成焊层，所述焊层于发射极凸台和发射极导体间压力达到指定值时发生塑形变形，且发射极凸台和发射极导体中的杨氏模量均大于焊层的杨氏模量。本发明通过将发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，减小压接式IGBT模块工作状态下各芯片间应力不均衡现象，提升各芯片间的受力一致性及压接式模块可靠性。

公开(公告)号：CN216849919U

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202122954178.8

申请日：2021-11-29

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 吕宏水 ,  王蕤 ,  陈紫默 ,  童颜 ,  王豹子 ,  严百强 ,  晁武杰 ,  林国栋

IPC: H01L23/492 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739

Abstract: 本实用新型公开了功率半导体器件技术领域的一种压接式半导体功率模块，包括发射极导体和M个发射极凸台，N个所述发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，且N≤M，所述焊料于焊接后形成焊层，所述焊层于发射极凸台和发射极导体间压力达到指定值时发生塑形变形，且发射极凸台和发射极导体中的杨氏模量均大于焊层的杨氏模量。本实用新型通过将发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，减小压接式IGBT模块工作状态下各芯片间应力不均衡现象，提升各芯片间的受力一致性及压接式模块可靠性。