-
公开(公告)号：CN102482775A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039718.1
申请日：2010-09-24
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/5096 , H01L31/18
Abstract: 为了在不产生膜品质的面内不均匀的前提下形成高品质膜，本发明的一个方式的沉积膜形成装置具有：腔室；第一电极，其位于该腔室内；第二电极，其位于所述腔室内，与所述第一电极隔开规定间隔，而且具有用于供给原料气体的多个供给部；导入路径，其与所述供给部相连接，且用于导入原料气体；加热单元，其设在该导入路径内；冷却机构，其用于冷却所述第二电极。
-
公开(公告)号：CN101939844B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200980104057.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03921 , C23C16/4488 , C23C16/50 , H01L21/2257 , H01L31/03762 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种元件特性比目前提高的超直型a-Si:H薄膜太阳能电池。通过在透明基板上形成的透明导电膜上附着磷的工序、和利用等离子CVD法在透明导电膜上依次形成由a-Si:H构成的p型层、i型层、及n型层的工序形成太阳能电池元件。磷的附着例如通过使含磷气体的等离子化来施行。或者，通过在等离子CVD法的p型层的形成开始时，用氢等离子体对设置于施加有等离子激起电压而没有载置透明基板的空白区域的磷供给源进行蚀刻来施行。优选按照i型层的硼的扩散范围内的硼和磷的浓度差的算术平均值ΔCav为1.1×1017(cm-3)≤ΔCav≤1.6×1017(cm-3)以下的方式控制磷的附着。
-
公开(公告)号：CN102471886A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029564.8
申请日：2010-08-30
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C23C16/507 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/505 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的一个方式的沉积膜形成装置，具有：腔室；第一电极，其位于所述腔室内；第二电极，其位于所述腔室内，且与所述第一电极隔开规定间隔，该第二电极具有：第一供给部，其用于将第一原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间的空间；多个第二供给部，它们用于将第二原料气体供给至所述空间；第一供给路径，其与所述第一供给部相连接，用于导入所述第一原料气体；第二供给路径，其与所述第二供给部相连接，用于导入所述第二原料气体，该沉积膜形成装置的特征在于，所述第二供给路径具有：干流部，其具有用于导入所述第二原料气体的第一导入口；支流部，其具有多个气体流路，这些气体流路具有用于从该干流部导入所述第二原料气体的第二导入口，在该支流部的多个所述气体流路分别连接有多个所述第二供给部，所述干流部及所述支流部，具有使所述第二原料气体不以顺流的方式从所述第一导入口流至所述第二供给部的结构。
-
公开(公告)号：CN101939844A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104057.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03921 , C23C16/4488 , C23C16/50 , H01L21/2257 , H01L31/03762 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种元件特性比目前提高的超直型a-Si:H薄膜太阳能电池。通过在透明基板上形成的透明导电膜上附着磷的工序、和利用等离子CVD法在透明导电膜上依次形成由a-Si:H构成的p型层、i型层、及n型层的工序形成太阳能电池元件。磷的附着例如通过使含磷气体的等离子化来施行。或者，通过在等离子CVD法的p型层的形成开始时，用氢等离子体对设置于施加有等离子激起电压而没有载置透明基板的空白区域的磷供给源进行蚀刻来施行。优选按照i型层的硼的扩散范围内的硼和磷的浓度差的算术平均值ΔCav为1.1×1017(cm-3)≤ΔCav≤1.6×1017(cm-3)以下的方式控制磷的附着。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102725868A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201080054175.0
申请日：2010-11-30
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/052 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0547 , H01L31/048 , H01L31/068 , H02S40/22 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池模块，其具备：具有光入射的第一面(61a)及位于第一面(61a)的相反侧的第二面(61b)的基板(61)；被设置于基板(61)的第二面(61b)上的光电转换元件；被设置于该光电转换元件上的透光件(66)；以及被设置于透光件(66)上的反射件(67)，其使透过了透光件(66)的光反射，反射件(67)具备倾斜的光反射面(67a)，其将由该反射件(67)反射的光在基板(61)的第一面(61a)进行全反射。
-
公开(公告)号：CN102668032A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080051961.5
申请日：2010-11-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/24 , C23C16/4405 , C23C16/452 , C23C16/45563 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 一种沉积膜形成装置，具有：腔室，第一电极，其位于该腔室内，第二电极，其位于腔室内，且与第一电极隔开规定间隔；第二电极具有：电极基体，多个电极板，它们配置在该电极基体上；该电极板具有：第一供给部，其将第一原料气体供给至第一电极和第二电极之间的空间，第二供给部，其将第二原料气体供给至空间，第一供给路径，其与第一供给部相连接，用于导入第一原料气体，第二供给路径，其与第二供给部相连接，用于导入第二原料气体；电极基体具有：加热单元，其对第一原料气体进行加热，第一导入路径，其将第一原料气体导入至第一供给路径，第二导入路径，其将第二原料气体导入至第二供给路径；第二供给路径具有：干流部，其从第二导入路径导入第二原料气体，且在该干流部上未设有第二供给部，多个支流部，它们从该干流部导入第二原料气体，且在这些支流部上设有第二供给部；用于连接第二导入路径和干流部的连接部，位于相邻的电极板的相邻部位。
-
公开(公告)号：CN102099505A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128302.4
申请日：2009-07-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , C23C16/24 , C23C16/45574 , C23C16/509 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种沉积膜形成装置及沉积膜形成方法。为了对例如Si系膜的高速且高品质的制膜，本发明一方式所涉及的沉积膜形成装置具有：腔室；位于腔室内的第一电极；第二电极，按照与第一电极隔开规定间隔的方式位于腔室内，并且具备供给第一原料气体且产生空心阴极放电的第一供给部、和供给分解速度比第一原料气体大的第二原料气体的第二供给部。
-
公开(公告)号：CN103430319B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280014467.0
申请日：2012-03-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种减少了少数载流子的复合且开路电压高并且输出特性优异的太阳能电池元件及太阳能电池模块。太阳能电池元件的特征在于，具有p型半导体层位于最上方的多晶硅基板和配置于所述p型半导体层上的氧化铝层，该氧化铝层主要为非晶态物质。另外，太阳能电池模块的特征在于，具有一个以上的上述太阳能电池元件。
-
公开(公告)号：CN103430319A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280014467.0
申请日：2012-03-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种减少了少数载流子的复合且开路电压高并且输出特性优异的太阳能电池元件及太阳能电池模块。太阳能电池元件的特征在于，具有p型半导体层位于最上方的多晶硅基板和配置于所述p型半导体层上的氧化铝层，该氧化铝层主要为非晶态物质。另外，太阳能电池模块的特征在于，具有一个以上的上述太阳能电池元件。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.02 seconds)
