公开(公告)号：CN109075526B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201780023759.3

申请日：2017-04-18

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 古久保洋二 ,  山元泉太郎 ,  冈本征宪 ,  正木克明 ,  西村刚太 ,  柴田和也

IPC: H01S5/02208 ,  H01S5/02315

Abstract: 发光元件收纳用构件(A1)具有基体(1)，基体(1)由陶瓷构成，且在内部具有将至少一处设为开口部(5)的深底型的空间部(7)，空间部(7)的内壁成为发光元件(9)的搭载部(11)。发光元件收纳用构件(A1)具有基体(21)，基体(21)具有用于搭载发光元件(9)的搭载部(26)，且具备俯视观察时的形状为矩形形状的底部基材(22)以及在底部基材(22)上以将搭载部(26)呈コ状包围且将至少一处设为开口部(27)的方式设置的壁构件(23)，基体(21)由陶瓷一体形成。

公开(公告)号：CN102859720A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019969.8

申请日：2011-04-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 大前智史 ,  阿部真一 ,  福留正人 ,  大隈丈司 ,  白泽胜彦 ,  西村刚太 ,  丰田大介 ,  佐野浩孝 ,  黑须敬太

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/072 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 在缓冲层上进一步层叠窗层等情况下，耐湿性、耐等离子体性变差，因此在形成了窗层时，缓冲层及光吸收层容易受到损伤，从可靠性的观点考虑，变得不能满足转换效率。本发明提供一种光电转换元件，具有：设置于下部电极层上的、含有IB族元素、IIIB族元素及VIB族元素的光吸收层；设置于该光吸收层上的、含有IIIB族元素及VIB族元素的第一半导体层；设置于该第一半导体层上的、含有IIB族元素的氧化物的第二半导体层，所述光吸收层在所述第一半导体层侧具有含有IIB族元素的掺杂层区域。

公开(公告)号：CN101939844B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200980104057.3

申请日：2009-02-06

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 新乐浩一 ,  西村刚太 ,  伊藤宪和 ,  稻叶真一郎

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/03921 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/50 ,  H01L21/2257 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种元件特性比目前提高的超直型a-Si:H薄膜太阳能电池。通过在透明基板上形成的透明导电膜上附着磷的工序、和利用等离子CVD法在透明导电膜上依次形成由a-Si:H构成的p型层、i型层、及n型层的工序形成太阳能电池元件。磷的附着例如通过使含磷气体的等离子化来施行。或者，通过在等离子CVD法的p型层的形成开始时，用氢等离子体对设置于施加有等离子激起电压而没有载置透明基板的空白区域的磷供给源进行蚀刻来施行。优选按照i型层的硼的扩散范围内的硼和磷的浓度差的算术平均值ΔCav为1.1×1017(cm-3)≤ΔCav≤1.6×1017(cm-3)以下的方式控制磷的附着。

公开(公告)号：CN101939844A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104057.3

申请日：2009-02-06

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 新乐浩一 ,  西村刚太 ,  伊藤宪和 ,  稻叶真一郎

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/03921 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/50 ,  H01L21/2257 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种元件特性比目前提高的超直型a-Si:H薄膜太阳能电池。通过在透明基板上形成的透明导电膜上附着磷的工序、和利用等离子CVD法在透明导电膜上依次形成由a-Si:H构成的p型层、i型层、及n型层的工序形成太阳能电池元件。磷的附着例如通过使含磷气体的等离子化来施行。或者，通过在等离子CVD法的p型层的形成开始时，用氢等离子体对设置于施加有等离子激起电压而没有载置透明基板的空白区域的磷供给源进行蚀刻来施行。优选按照i型层的硼的扩散范围内的硼和磷的浓度差的算术平均值ΔCav为1.1×1017(cm-3)≤ΔCav≤1.6×1017(cm-3)以下的方式控制磷的附着。

公开(公告)号：CN115443519A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202180030661.7

申请日：2021-04-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 西村刚太

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/53 ,  H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/50 ,  H01L21/683 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

Abstract: 在本发明的半导体元件的制造方法中，第一半导体部(SL1)具有朝向衬底基板(UK)突出的凸部(TS)，凸部包含氮化物半导体，凸部与衬底基板接合，半导体基板(HK)具有位于衬底基板与第一半导体部间的中空部(TK)，中空部与凸部的侧面相接，且与半导体基板的外部相通，在将第一半导体部从半导体基板分离之前，进行激光(LZ)向凸部(TS)的照射。

公开(公告)号：CN109075526A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780023759.3

申请日：2017-04-18

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 古久保洋二 ,  山元泉太郎 ,  冈本征宪 ,  正木克明 ,  西村刚太 ,  柴田和也

IPC: H01S5/022

Abstract: 发光元件收纳用构件(A1)具有基体(1)，基体(1)由陶瓷构成，且在内部具有将至少一处设为开口部(5)的深底型的空间部(7)，空间部(7)的内壁成为发光元件(9)的搭载部(11)。发光元件收纳用构件(A1)具有基体(21)，基体(21)具有用于搭载发光元件(9)的搭载部(26)，且具备俯视观察时的形状为矩形形状的底部基材(22)以及在底部基材(22)上以将搭载部(26)呈コ状包围且将至少一处设为开口部(27)的方式设置的壁构件(23)，基体(21)由陶瓷一体形成。