公开(公告)号：CN114503286A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080069919.X

申请日：2020-10-02

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 黑须敬太 ,  宫道祐介 ,  佐藤翔英 ,  北山贤

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/048

Abstract: 太阳能电池模块(100)具备表面保护层(1)、背面保护层(2)、多个太阳能电池元件(31)和填料(4)。表面保护层(1)具有第一面(1f)以及位于该第一面(1f)的相反侧的第二面(1s)，具有透光性。背面保护层(2)处于与第二面(1s)对置的状态。多个太阳能电池元件(31)位于第二面(1s)与背面保护层(2)之间。填料(4)处于在表面保护层(1)与多个太阳能电池元件(31)之间覆盖多个太阳能电池元件(31)的状态。填料(4)的材料具有产生游离酸的化学结构。表面保护层(1)是由具有耐候性的树脂构成的层。第一面(1f)的至少一部分处于暴露于太阳能电池模块(100)的外部空间的状态。

公开(公告)号：CN116134726A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202180060053.0

申请日：2021-07-15

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 宫道祐介 ,  黑须敬太 ,  牛尾绅之介 ,  西村太佑 ,  芝原求己 ,  高桥雅也

IPC: H02S50/10

Abstract: 太阳能电池模块(3)的测定装置(1)具有输出特性测定部(10)和重量测定部(20)。输出特性测定部(10)测定太阳能电池模块(3)的正极端子与负极端子之间的输出电压值以及输出电流值。重量测定部(20)测定太阳能电池模块(3)的重量的重量值。

公开(公告)号：CN116134725A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202180059894.X

申请日：2021-07-16

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 宫道祐介 ,  黑须敬太 ,  牛尾绅之介 ,  西村太佑 ,  芝原求己 ,  高桥雅也

IPC: H02S50/10

Abstract: 太阳能电池模块的测定方法包括搬入工序(S10)和第一测定工序(S20)。在搬入工序(S10)中，将太阳能电池模块搬入测定装置中。在第一测定工序(S20)中，通过测定装置的输出特性测定部测定太阳能电池模块的正极端子与负极端子之间的输出电压值以及输出电流值，并且通过测定装置的重量测定部测定太阳能电池模块的重量相关的重量值。

公开(公告)号：CN115039236A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202180012049.7

申请日：2021-02-02

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 松冈俊树 ,  宫道祐介 ,  黑须敬太 ,  佐藤翔英

IPC: H01L31/048

Abstract: 本发明的太阳能电池模块100具有树脂制的第一保护层1、第二保护层2、太阳能电池部3、树脂制的第一填充材料层41、树脂制的第二填充材料层42、基材6以及粘接层5。第一保护层1具有透光性。太阳能电池部3包括位于第一保护层1与第二保护层2之间的太阳能电池元件31。第一填充材料层41从第一保护层1侧覆盖太阳能电池元件31。第二填充材料层42从第二保护层2侧覆盖太阳能电池元件31。粘接层5将第二保护层2与基材6粘接。第一保护层1比基材6软。第二填充材料层42、第二保护层2以及粘接层5中的一个以上的层的杨氏模量大于第一填充材料层41的杨氏模量。

公开(公告)号：CN102859720A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019969.8

申请日：2011-04-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 大前智史 ,  阿部真一 ,  福留正人 ,  大隈丈司 ,  白泽胜彦 ,  西村刚太 ,  丰田大介 ,  佐野浩孝 ,  黑须敬太

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/072 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 在缓冲层上进一步层叠窗层等情况下，耐湿性、耐等离子体性变差，因此在形成了窗层时，缓冲层及光吸收层容易受到损伤，从可靠性的观点考虑，变得不能满足转换效率。本发明提供一种光电转换元件，具有：设置于下部电极层上的、含有IB族元素、IIIB族元素及VIB族元素的光吸收层；设置于该光吸收层上的、含有IIIB族元素及VIB族元素的第一半导体层；设置于该第一半导体层上的、含有IIB族元素的氧化物的第二半导体层，所述光吸收层在所述第一半导体层侧具有含有IIB族元素的掺杂层区域。

公开(公告)号：CN306308534S

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202030357362.2

申请日：2020-07-06

Applicant: 京瓷株式会社

Designer： 宫道祐介 ,  佐藤翔英 ,  黑须敬太

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：太阳能电池。
2.本外观设计产品的用途：用于利用太阳光进行光伏发电。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
5.指定设计1为基本设计。
6.设计1、2 的参考图中的斜线部透明。