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公开(公告)号:CN102893410A
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN201180018806.8
申请日:2011-04-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L27/142 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0384 , H01L31/03923 , H01L31/046 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置,该光电转换装置通过提高光吸收层与电极层之间的粘接性来提高可靠性并且光电转换效率高。本发明的光电转换装置具有电极层(2)和设置于该电极层(2)上的含有化合物半导体的光吸收层(3),该光吸收层(3)具有位于电极层(2)侧的第一层(3A)以及设置于该第一层(3A)上的第二层(3B),并且第一层(3A)的空隙率小于第二层(3B)的空隙率。
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公开(公告)号:CN103222063A
公开(公告)日:2013-07-24
申请号:CN201180054698.X
申请日:2011-11-18
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor: 牛尾绅之介
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明课题在于谋求光电转换装置中的转换效率的提高。通过以下技术方案可解决上述技术问题。光电转换装置(21)具有电极(2)、在电极(2)上设置的包含I-III-VI族化合物半导体的第一半导体层(31)、以及在第一半导体层(31)上设置的导电型与第一半导体层(31)不同的第二半导体层(32),且在第一半导体层(31)中,在第二半导体层(32)侧的表面部(31a)中的VI-B族元素的含有率CVI相对于I-B族元素的含有率CI的比值CVI/CI,比电极(2)侧的余部(31b)中的比值CVI/CI大。
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公开(公告)号:CN117501621A
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202280043410.7
申请日:2022-06-15
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H02S40/34
Abstract: 具备太阳能电池的板条构件(3s)具备:板状的板条主体部(31);固定于该板状的板条主体部(31)的板状的太阳能电池单元(32);和连接箱(33)。板状的板条主体部(31)具有第1面(31f)、与该第1面(31f)相反的第2面(31s)以及第1侧面(31t),并且具有沿着第1方向的长边方向,其中,该第1方向沿着第1面(31f)。板状的太阳能电池单元(32)具有位于第1面(31f)侧的第3面(32s)、与该第3面(32s)相反的第4面(32f)、和将第3面(32s)和第4面(32f)连接的第2侧面(32t),并且具有沿着第1方向的长边方向。连接箱(33)具有导体部(33m)、外壳部(33b)以及布线线缆(33c)。导体部(33m)连接与板状的太阳能电池单元(32)的电极连接的布线材料。外壳部(33b)存放导体部(33m)且沿着第1侧面(31t)以及第2侧面(32t)当中的1个以上的侧面而设置。布线线缆(33c)与导体部(33m)电连接且从外壳部(33b)内向该外壳部(33b)外突出。
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公开(公告)号:CN103229309B
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201280003826.2
申请日:2012-03-15
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0352 , H01L31/0368 , H01L31/046 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明的目的在于提高光电转换装置的光电转换效率。本发明的光电转换装置(11)将结合多个半导体粒子(3a)而得的多晶半导体层用作光吸收层(3),其中,所述半导体粒子(3a)含有I?III?VI族化合物,并且I?B族元素相对于III?B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。
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公开(公告)号:CN103229309A
公开(公告)日:2013-07-31
申请号:CN201280003826.2
申请日:2012-03-15
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0352 , H01L31/0368 , H01L31/046 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明的目的在于提高光电转换装置的光电转换效率。本发明的光电转换装置(11)将结合多个半导体粒子(3a)而得的多晶半导体层用作光吸收层(3),其中,所述半导体粒子(3a)含有I-III-VI族化合物,并且I-B族元素相对于III-B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。
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