公开(公告)号：CN102870224B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201180020811.2

申请日：2011-05-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 浅尾英章 ,  鎌田塁 ,  笠井修一 ,  小栗诚司 ,  田中勇 ,  堀内伸起 ,  梅里计匡

IPC: H01L31/046 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明提供一种提高了光电转换效率的光电转换装置。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的光吸收层（3）。光吸收层（3）是层叠多个含有黄铜矿系化合物半导体的半导体层而成。所述半导体层含有氧，并且所述半导体层的相互层叠侧表面附近的氧摩尔浓度，高于所述半导体层的平均氧摩尔浓度。

公开(公告)号：CN103229309B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201280003826.2

申请日：2012-03-15

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 久保新太郎 ,  菊池通真 ,  浅尾英章 ,  牛尾绅之介

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明的目的在于提高光电转换装置的光电转换效率。本发明的光电转换装置(11)将结合多个半导体粒子(3a)而得的多晶半导体层用作光吸收层(3)，其中，所述半导体粒子(3a)含有I?III?VI族化合物，并且I?B族元素相对于III?B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。

公开(公告)号：CN103229309A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201280003826.2

申请日：2012-03-15

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 久保新太郎 ,  菊池通真 ,  浅尾英章 ,  牛尾绅之介

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明的目的在于提高光电转换装置的光电转换效率。本发明的光电转换装置(11)将结合多个半导体粒子(3a)而得的多晶半导体层用作光吸收层(3)，其中，所述半导体粒子(3a)含有I-III-VI族化合物，并且I-B族元素相对于III-B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。

公开(公告)号：CN102870224A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180020811.2

申请日：2011-05-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 浅尾英章 ,  鎌田塁 ,  笠井修一 ,  小栗诚司 ,  田中勇 ,  堀内伸起 ,  梅里计匡

IPC: H01L31/04

Abstract: 本发明提供一种提高了光电转换效率的光电转换装置。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的光吸收层（3）。光吸收层（3）是层叠多个含有黄铜矿系化合物半导体的半导体层而成。所述半导体层含有氧，并且所述半导体层的相互层叠侧表面附近的氧摩尔浓度，高于所述半导体层的平均氧摩尔浓度。