-
公开(公告)号：CN106663705B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201580042051.3
申请日：2015-09-18
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0352 , B82Y20/00 , H01L31/0224 , H01L31/0236
Abstract: 本发明提供一种载流子的收集能力高且由此能够提高短路电流密度的光电变换装置以及光电变换模块。本发明具备：量子点集聚部(1)；基部层(3)，被配置在量子点集聚部(1)中的至少一个主面并具有集电性；以及多个载流子收集部(5)，从该基部层(3)延伸到量子点集聚部(1)内，具有开放端且呈柱状，该载流子收集部(5)以金属氧化物为主体，在开放端的附近部(5a)中，氧相对于金属的摩尔比高于该开放端的附近部(5a)以外的主体部(5b)。载流子收集部(5)作为副成分包含选自Li、Na、K、Ga、B以及Al的组的一种，其含量为1～5原子％。
-
公开(公告)号：CN102893410A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180018806.8
申请日：2011-04-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L27/142 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0384 , H01L31/03923 , H01L31/046 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，该光电转换装置通过提高光吸收层与电极层之间的粘接性来提高可靠性并且光电转换效率高。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的含有化合物半导体的光吸收层（3），该光吸收层（3）具有位于电极层（2）侧的第一层（3A）以及设置于该第一层（3A）上的第二层（3B），并且第一层（3A）的空隙率小于第二层（3B）的空隙率。
-
公开(公告)号：CN103229309B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280003826.2
申请日：2012-03-15
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0352 , H01L31/0368 , H01L31/046 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明的目的在于提高光电转换装置的光电转换效率。本发明的光电转换装置(11)将结合多个半导体粒子(3a)而得的多晶半导体层用作光吸收层(3)，其中，所述半导体粒子(3a)含有I?III?VI族化合物，并且I?B族元素相对于III?B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。
-
公开(公告)号：CN103229309A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201280003826.2
申请日：2012-03-15
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0352 , H01L31/0368 , H01L31/046 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明的目的在于提高光电转换装置的光电转换效率。本发明的光电转换装置(11)将结合多个半导体粒子(3a)而得的多晶半导体层用作光吸收层(3)，其中，所述半导体粒子(3a)含有I-III-VI族化合物，并且I-B族元素相对于III-B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102318077A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007927.8
申请日：2010-09-17
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/036 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，在该光电转换装置中，光吸收层和电极层之间的密接性高且光电转换效率高。为了实现上述目的，光电转换装置具有第一层和设置于该第一层之上的第二层。在该光电转换装置中，第一层包含电极层，第二层包含具有I-III-VI族化合物半导体的光吸收层。该光吸收层包含第一区域和相比第一区域远离第一层的第二区域。第二区域中的晶粒的平均粒径比第一区域中的晶粒的平均粒径大。
-
公开(公告)号：CN106663704B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201580035036.6
申请日：2015-07-30
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0352 , B82Y20/00
CPC classification number: H01L31/035218 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/007 , C01B33/021 , C01G11/00 , C01G21/21 , C01P2004/16 , C01P2004/30 , C01P2004/32 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/0322 , H01L31/0324 , H01L31/0326 , H01L31/0352 , H01L31/035281 , H02S40/44 , Y10S977/762 , Y10S977/774 , Y10S977/814 , Y10S977/819 , Y10S977/824 , Y10S977/948
Abstract: 本发明提供种光吸收系数高的量子点太阳能电池。量子点太阳能电池具备集聚了多个量子点(1)的量子点层(3),其中,量子点层(3)具有:第量子点层(3A),在将量子点(1)的平均粒径设为x并将所述量子点的标准偏差设为σ时,表示粒径的偏差度的指标σ/x为5%以上。量子点层(3)在第量子点层(3A)的光的入射面(3b)侧和/或出射面(3c)侧具备平均粒径以及σ/x比第量子点层(3A)小的第二量子点层(3B)。
-
公开(公告)号：CN106663705A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580042051.3
申请日：2015-09-18
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0352 , B82Y20/00 , H01L31/0224 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/035218 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C01G9/02 , C01P2002/85 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/02963 , H01L31/0352 , H01L31/03529 , H01L31/05 , H01L31/0725 , Y10S977/774 , Y10S977/948
Abstract: 本发明提供一种载流子的收集能力高且由此能够提高短路电流密度的光电变换装置以及光电变换模块。本发明具备：量子点集聚部(1)；基部层(3)，被配置在量子点集聚部(1)中的至少一个主面并具有集电性；以及多个载流子收集部(5)，从该基部层(3)延伸到量子点集聚部(1)内，具有开放端且呈柱状，该载流子收集部(5)以金属氧化物为主体，在开放端的附近部(5a)中，氧相对于金属的摩尔比高于该开放端的附近部(5a)以外的主体部(5b)。载流子收集部(5)作为副成分包含选自Li、Na、K、Ga、B以及Al的组的一种，其含量为1～5原子％。
-
公开(公告)号：CN106663704A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580035036.6
申请日：2015-07-30
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0352 , B82Y20/00
CPC classification number: H01L31/035218 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/007 , C01B33/021 , C01G11/00 , C01G21/21 , C01P2004/16 , C01P2004/30 , C01P2004/32 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/0322 , H01L31/0324 , H01L31/0326 , H01L31/0352 , H01L31/035281 , H02S40/44 , Y10S977/762 , Y10S977/774 , Y10S977/814 , Y10S977/819 , Y10S977/824 , Y10S977/948
Abstract: 本发明提供一种光吸收系数高的量子点太阳能电池。量子点太阳能电池具备集聚了多个量子点(1)的量子点层(3)，其中，量子点层(3)具有：第一量子点层(3A)，在将量子点(1)的平均粒径设为x并将所述量子点的标准偏差设为σ时，表示粒径的偏差度的指标σ/x为5％以上。量子点层(3)在第一量子点层(3A)的光的入射面(3b)侧和/或出射面(3c)侧具备平均粒径以及σ/x比第一量子点层(3A)小的第二量子点层(3B)。
-
公开(公告)号：CN102318077B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201080007927.8
申请日：2010-09-17
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/036 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，在该光电转换装置中，光吸收层和电极层之间的密接性高且光电转换效率高。为了实现上述目的，光电转换装置具有第一层和设置于该第一层之上的第二层。在该光电转换装置中，第一层包含电极层，第二层包含具有I-III-VI族化合物半导体的光吸收层。该光吸收层包含第一区域和相比第一区域远离第一层的第二区域。第二区域中的晶粒的平均粒径比第一区域中的晶粒的平均粒径大。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.065 seconds)
