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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102870224B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180020811.2
申请日：2011-05-30
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/046 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供一种提高了光电转换效率的光电转换装置。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的光吸收层（3）。光吸收层（3）是层叠多个含有黄铜矿系化合物半导体的半导体层而成。所述半导体层含有氧，并且所述半导体层的相互层叠侧表面附近的氧摩尔浓度，高于所述半导体层的平均氧摩尔浓度。
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公开(公告)号：CN102893410A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180018806.8
申请日：2011-04-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L27/142 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0384 , H01L31/03923 , H01L31/046 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，该光电转换装置通过提高光吸收层与电极层之间的粘接性来提高可靠性并且光电转换效率高。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的含有化合物半导体的光吸收层（3），该光吸收层（3）具有位于电极层（2）侧的第一层（3A）以及设置于该第一层（3A）上的第二层（3B），并且第一层（3A）的空隙率小于第二层（3B）的空隙率。
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公开(公告)号：CN102870223B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180019507.6
申请日：2011-06-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/032 , H01L31/0749 , H01L31/046
CPC classification number: H01L31/0272 , H01L31/0322 , H01L31/046 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种第一半导体层与电极层之间的粘接性高、且光电转换效率高的光电转换装置。本发明的光电转换装置（10）包括：电极层（2）；配置在该电极层（2）上且含有I-III-VI族黄铜矿系化合物半导体和氧的第一半导体层（3）；以及配置在所述第一半导体层（3）上且与所述第一半导体层（3）形成pn结的第二半导体层（4）。并且，在光电装置（10）中，对所述第一半导体层（3）而言，自所述第一半导体层（3）的层叠方向的中央部位于所述电极层（2）侧的部位的氧摩尔浓度，大于所述第一半导体层（3）整体的氧摩尔浓度。
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公开(公告)号：CN102870223A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180019507.6
申请日：2011-06-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0272 , H01L31/0322 , H01L31/046 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种第一半导体层与电极层之间的粘接性高、且光电转换效率高的光电转换装置。本发明的光电转换装置（10）包括：电极层（2）；配置在该电极层（2）上且含有I-III-VI族黄铜矿系化合物半导体和氧的第一半导体层（3）；以及配置在所述第一半导体层（3）上且与所述第一半导体层（3）形成pn结的第二半导体层（4）。并且，在光电装置（10）中，对所述第一半导体层（3）而言，自所述第一半导体层（3）的层叠方向的中央部位于所述电极层（2）侧的部位的氧摩尔浓度，大于所述第一半导体层（3）整体的氧摩尔浓度。
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