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公开(公告)号：CN1435390A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN03103411.X
申请日：2003-01-28
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: C04B35/22 , C03C8/20 , C04B35/465 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3255 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3289 , C04B2235/3291 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3463 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/9661
Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组合物，该组合物包含：30～90％重量的能够沉积透辉石晶体的结晶玻璃粉，1～40％重量的钛酸钙粉、钛酸锶粉或其混合粉，和0～60％重量的至少一种选自Al2O3，TiO2，ZrO2，MgTiO3，BaTi4O9，La2Ti2O7，Nd2Ti2O7，Ca2Nb2O7，SrZrO3和CaZrO3的粉末，以及焙烧该组合物得到的介电陶瓷。
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公开(公告)号：CN102318077A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007927.8
申请日：2010-09-17
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/036 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，在该光电转换装置中，光吸收层和电极层之间的密接性高且光电转换效率高。为了实现上述目的，光电转换装置具有第一层和设置于该第一层之上的第二层。在该光电转换装置中，第一层包含电极层，第二层包含具有I-III-VI族化合物半导体的光吸收层。该光吸收层包含第一区域和相比第一区域远离第一层的第二区域。第二区域中的晶粒的平均粒径比第一区域中的晶粒的平均粒径大。
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公开(公告)号：CN102318077B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201080007927.8
申请日：2010-09-17
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/036 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，在该光电转换装置中，光吸收层和电极层之间的密接性高且光电转换效率高。为了实现上述目的，光电转换装置具有第一层和设置于该第一层之上的第二层。在该光电转换装置中，第一层包含电极层，第二层包含具有I-III-VI族化合物半导体的光吸收层。该光吸收层包含第一区域和相比第一区域远离第一层的第二区域。第二区域中的晶粒的平均粒径比第一区域中的晶粒的平均粒径大。
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公开(公告)号：CN101689374A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021589.6
申请日：2008-06-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: G11B5/60 , C04B35/111 , G11B5/31 , G11B21/21
CPC classification number: G11B5/3106 , G11B5/102 , G11B5/3173 , G11B5/40 , G11B5/6011 , Y10T428/1157
Abstract: 本发明提供一种磁头用基板，该磁头用基板包括Al 2 O 3 为60质量％以上且70质量％以下的范围、TiC为30质量％以上且40质量％以下的范围的烧结体。在磁头用基板7、7’中，在烧结体的截面的任意10μm以上的直线上存在的TiC晶粒的个数的比率相对于在所述直线上存在的TiC晶粒的个数及Al 2 O 3 晶粒的个数的合计为55％以上且75％以下。本发明还提供一种能够从所述磁头用基板得到的磁头及具有所述磁头的记录介质驱动装置。
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公开(公告)号：CN102893410A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180018806.8
申请日：2011-04-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L27/142 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0384 , H01L31/03923 , H01L31/046 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，该光电转换装置通过提高光吸收层与电极层之间的粘接性来提高可靠性并且光电转换效率高。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的含有化合物半导体的光吸收层（3），该光吸收层（3）具有位于电极层（2）侧的第一层（3A）以及设置于该第一层（3A）上的第二层（3B），并且第一层（3A）的空隙率小于第二层（3B）的空隙率。
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公开(公告)号：CN101535213B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200780041510.1
申请日：2007-11-07
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: G11B5/60 , G11B21/21 , C04B35/10 , C04B35/565
CPC classification number: G11B5/58 , B82Y30/00 , C04B35/117 , C04B35/5611 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3843 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , G11B5/40 , G11B5/6082 , Y10T428/1157
Abstract: 悬浮量为10nm以下的范围时，使悬浮面的表面平滑性受到重视，为了得到此悬浮面，必须使用平均粒径0.1μm以下的小的金刚石磨粒进行研磨，因此现有的陶瓷烧结体机械加工性差，由该陶瓷烧结体制作的磁头不能对应10nm以下的悬浮量。一种具有Al2O3晶粒、存在于该Al2O3晶粒的内部的内部TiC晶粒、和所述内部TiC晶粒以外的外部TiC晶粒的陶瓷烧结体。在Al2O3晶粒和外部TiC晶粒中，烧结后会分别留有因热膨胀系数的差异而引起的应力，从而在Al2O3晶粒和外部TiC晶粒的界面成为互相牵拉的状态，若实施机械加工，则除了该机械加工造成的剪切力以外，再加上残留应力，在界面发生的微裂纹很容易扩展，因此机械加工性良好。
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公开(公告)号：CN101689374B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200880021589.6
申请日：2008-06-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: G11B5/60 , C04B35/111 , G11B5/31 , G11B21/21
CPC classification number: G11B5/3106 , G11B5/102 , G11B5/3173 , G11B5/40 , G11B5/6011 , Y10T428/1157
Abstract: 本发明提供一种磁头用基板，该磁头用基板包括Al2O3为60质量％以上且70质量％以下的范围、TiC为30质量％以上且40质量％以下的范围的烧结体。在磁头用基板7、7’中，在烧结体的截面的任意10μm以上的直线上存在的TiC晶粒的个数的比率相对于在所述直线上存在的TiC晶粒的个数及Al2O3晶粒的个数的合计为55％以上且75％以下。本发明还提供一种能够从所述磁头用基板得到的磁头及具有所述磁头的记录介质驱动装置。
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公开(公告)号：CN101535213A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780041510.1
申请日：2007-11-07
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/10 , C04B35/565 , G11B5/60 , G11B21/21
CPC classification number: G11B5/58 , B82Y30/00 , C04B35/117 , C04B35/5611 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3843 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , G11B5/40 , G11B5/6082 , Y10T428/1157
Abstract: 悬浮量为10nm以下的范围时，使悬浮面的表面平滑性受到重视，为了得到此悬浮面，必须使用平均粒径0.1μm以下的小的金刚石磨粒进行研磨，因此现有的陶瓷烧结体机械加工性差，由该陶瓷烧结体制作的磁头不能对应10nm以下的悬浮量。一种具有Al2O3晶粒、存在于该Al2O3晶粒的内部的内部TiC晶粒、和所述内部TiC晶粒以外的外部TiC晶粒的陶瓷烧结体。在Al2O3晶粒和外部TiC晶粒中，烧结后会分别留有因热膨胀系数的差异而引起的应力，从而在Al2O3晶粒和外部TiC晶粒的界面成为互相牵拉的状态，若实施机械加工，则除了该机械加工造成的剪切力以外，再加上残留应力，在界面发生的微裂纹很容易扩展，因此机械加工性良好。
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公开(公告)号：CN1289427C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03103411.X
申请日：2003-01-28
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: C04B35/22 , C03C8/20 , C04B35/465 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3255 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3289 , C04B2235/3291 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3463 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/9661
Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组合物，该组合物包含：30～90%重量的能够沉积透辉石晶体的结晶玻璃粉，1～40%重量的钛酸钙粉、钛酸锶粉或其混合粉，和0～60%重量的至少一种选自Al2O3，TiO2，ZrO2，MgTiO3，BaTi4O9，La2Ti2O7，Nd2Ti2O7，Ca2Nb2O7，SrZrO3和CaZrO3的粉末，以及焙烧该组合物得到的介电陶瓷。
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